飛象網訊（馬秋月/文）3月10日消息，今天長飛光纖光纜股份有限公司釋出關于對外投資的公告稱，已經在3月8日組建了競買聯合體，報名參與在安徽長江産權交易所公開挂牌的《蕪湖太赫茲工程中心有限公司與蕪湖啟迪半導體有限公司合并重組整體交易方案》的競标。其中，長飛公司及公司全資子公司武漢睿芯投資管理有限公司出資人民币約 78,000 萬元、競買聯合體出資約人民币 142,967 萬元。
本次交易完成後，長飛将直接持有啟迪半導體約34.92%的股權、通過太赫茲投資中心和太赫茲投資基金間接持有啟迪半導體約2.18%的股權，合計持有啟迪半導體約37.10%的股權，啟迪半導體将成為長飛子公司，太赫茲工程中心将成為啟迪半導體子公司，均納入長飛合并财務報表範圍内。
如今，随着客戶需求的變化，以及企業自身發展的需要，長飛在鞏固傳統優勢産品的同時，大力發展多元化業務，此次交易也是長飛多元化舉措的重要布局。
據了解，啟迪半導體及蕪湖太赫茲工程中心主要從事以碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）為代表的第三代半導體産品的工藝研發和制造，該等第三代半導體器件産品主要用于新能源汽車、通信基站、光伏等相關領域。主要業務包括碳化矽和氮化镓的外延、第三代半導體功率及射頻等相關晶片制造、功率子產品和功率單管封裝測試等全産業鍊的研發生産及銷售。其中，啟迪半導體目前主要負責業務營運，太赫茲工程中心主要負責持有業務營運所需的相關固定資産。
随着 5G、新能源電動車等新興應用對功率元件效能需求提高，相較于第一代材料矽（Si）、鍺（Ge）以及第二代砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）對于溫度、頻率、功率已達極限，難以應用在更嚴苛環境上，第三代半導體的碳化矽（SiC）及氮化镓（GaN）在耐高溫、高電流的環境下仍有極佳效能。
2021年多個國家政策加碼第三代半導體産業，大陸也不例外。其中《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目标綱要》中的科技前沿領域攻關專欄的內建電路中提到：“內建電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，內建電路先進工藝和絕緣栅雙極性半導體（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術更新，碳化矽、氮化镓等寬禁帶半導體發展。”之後科技部、工信部全面加大了對第三代半導體産業的支援和投入力度。
相關機構預測：2025 年全球功率半導體元件及模組市場規模将達274 億美元，其中第三代半導體SiC/GaN 市場占比從2021 年不到5%，擴大至2025 年約17%。