DB HiTek将采用矽基氮化镓技術改進8英寸半導體工藝

圖源：etnews

集微網消息，南韓晶圓代工廠商DB HiTek通過在矽晶圓片上制作由氮化镓 (GaN) 材料制成的薄膜來生産半導體晶片，該技術能夠響應通信裝置、電動汽車充電器和太陽能轉換器等快速增長的市場。

據韓媒etnews報道，GaN 是下一代半導體材料，可提高通信裝置、電動汽車快速充電器和太陽能轉換器的電源效率。DB HiTek将生産基于矽基氮化镓(GaN-on-Si)技術的8英寸半導體，該技術預計可以通過提高半導體制造的競争力來簡化晶片加工以增強盈利能力。

據了解，DB HiTek 預計今年将利用其忠北工廠來應對 8 英寸市場，該公司計劃通過充分利用忠北的 Sangwoo fab 産能或進行額外投資來滿足對電動汽車和電動裝置等8英寸半導體的需求。

（校對/Yuki）