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這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

作者:充電頭網

前言

在氮化镓快充市場不斷拓展的過程中,電源技術水準也在不斷提升,起初的氮化镓快充電源一般需要采用控制器+驅動+氮化镓功率器件組合設計,不僅電路布局較為複雜,産品開發難度相對較大,而且成本也比較高。

為了實作更高的功率密度并降低外圍器件數量,目前已有衆多電源晶片廠商着手布局內建度更高的合封氮化镓晶片産品線。這些晶片能夠将氮化镓功率器件、PWM控制、驅動、保護等功能整合在一顆晶片上,一顆晶片即可實作原有數顆晶片的功能,不僅能夠提升整體方案的性能,還有助于減少PCB闆的占用空間、縮小産品尺寸,并削減物料成本。此外,它們還有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數,減小振鈴現象,進而降低了開關損耗。這些晶片也不容易受到初級電流幹擾,提高了系統的可靠性和開關速度。電源工程師在應用過程中能更加友善、快捷地完成調試工作,進而加速産品研發周期。

合封氮化镓晶片的應用範圍廣泛,包括電子裝置、通信裝置、電動汽車充電器、工業電源以及可再生能源系統等。這些晶片不僅可以提供高效的電源轉換,還常常包括多種保護功能以確定電源系統的安全性和可靠性。

力生美合封氮化镓晶片

充電頭網總結了力生美推出的多款合封氮化镓晶片,功率範圍涵蓋25W-45W,并彙總成下表所示,詳細介紹了這些晶片的具體型号以及相關特性。

這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

力生美LN9T28xF

LN9T28xF是一系列針對高密度、高性能的快充電源合封氮化镓晶片,内置700V氮化镓功率器件,工作頻率130kHz(另有65kHz版本),可用于45W和30W氮化镓快充電源設計,協助電源廠商輕松建構低待機功耗、低成本、高性能的解決方案,以滿足應用中的 CoC V5 和 DoE VI 能效。

這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

力生美LN9T28xF晶片PWM開關頻率由晶片内部設定,具有全溫度補償,最大值設定為 130kHz。在空載或輕載條件下,內建電路可工作于智能中斷模式,以降低開關損耗,進而在具有較低待機功耗的同時實作良好的轉換效率。LN9T28xF晶片采用準諧振工作模式,谷底開關提高效率,空載功耗低至50mW,晶片内置軟啟動控制電路,擴充的輕載控制可優化能效及待機功耗,全負載均無音頻噪聲。

這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

低 VDD 啟動電流和工作電流使 LN9T28xF 具有非常高的可靠性和使用壽命。可以使用阻值較大的電阻來完成電路的啟動,這樣也降低了啟動電阻的損耗,進一步降低了系統待機功耗。LN9T28xF 還提供了一個非常全面的自動恢複保護電路,包括逐周期電流限制 (0CP)、具有高低壓補償的輸出過載保護 (OLP)、VDD 過壓鉗位和欠壓鎖定 (UVLO) 。

力生美LN9T28xF晶片采用ESOP8封裝,适用于電源擴充卡、快充擴充卡、開放式電源等領域之中。

力生美LIC3515F

LIC3515F是一款新一代的高性能、高度內建的電流模式PSR電源開關內建電路。它能輕松實作低待機功耗,最低可達30mW或更低,同時具備高效率轉換和低功耗特性,以滿足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标準,适用于峰值功率高達40W的應用場景。

這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

該晶片提供了高性能的PSR主要CC/CV開關電源解決方案,内置高精度的恒流和恒壓控制,并采用了優化的谷點開關技術,能夠在全範圍内提供不低于±3%的輸出電流精度和±2%的輸出電壓精度誤差。

力生美LIC3513D

LIC3513D是一款新一代高性能、高度內建的電流模式PSR電源開關內建電路。它能輕松實作低待機功耗,最低可降至30mW或更低,同時具備高效率轉換和低功耗特性,以滿足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标準,适用于峰值功率高達30W的應用場景。

這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

該晶片提供高性能的PSR主要CC/CV開關電源解決方案,内置高精度的恒流和恒壓控制,采用優化的谷點開關技術,全範圍内輸出電流精度誤差優于±3%,輸出電壓精度誤差優于±2%。

力生美LIC3511B

LIC3511B是一款新一代高性能、高度內建的電流模式PSR電源開關內建電路。它能輕松實作低待機功耗,最低可達30mW或更低,同時具備高效率轉換和低功耗特性,滿足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标準,适用于峰值功率高達25W的應用場景。

這家國産晶片大廠擁抱第三代半導體,推出多款效益高的氮化镓晶片

LIC3511B是高性能的PSR主要CC/CV開關電源解決方案,内置高精度的恒流和恒壓控制,采用優化的谷點開關技術,提供全範圍内優于±3%的輸出電流精度和±2%的輸出電壓精度誤差。

充電頭網總結

第三代半導體氮化镓技術的成熟,催生了高密電源的大規模的普及。而消費類電源産品憑借疊代迅速的優勢,率先實作了氮化镓技術的規模化商用,并獲得市場一緻認可。對于小功率高密電快充電源而言,近年來衍生出的合封氮化镓晶片無疑是理想選擇,既能減少PCB闆面積,也有助于降低成本。

力生美半導體在電源管理晶片領域深耕十餘年,擁有USB PD快充電源、手機充電器、電池充電器、開關電源擴充卡、家電電源、智能家居電源、IoT系統電源、電動工具電源等多種電源晶片解決方案産品線。本次針對25W-45W電源推出的合封氮化镓晶片系列,一方面是對現有産品線的拓展和完善,同時也展現出力生美半導體緊跟時代步伐,積極布局第三代半導體産品線的能力。

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