前言
PWM控制器，亦稱為脈寬調制控制器，是一種通過微處理器的數字輸出來精确控制模拟電路的非常有效的技術。這種控制方式在模拟電路領域中極為高效，它能根據負載的變化來調整半導體的栅極或基極偏置。這一過程實作了對開關穩壓電源輸出半導體或半導體導通時間的精确調節，進而有效控制電源輸出。
也是以它廣泛應用于各類電源拓撲的控制，包括反激式、升壓、推挽、正向和降壓等。其支援多種拓撲配置，使得設計人員可以靈活地建立多樣化的電源設計方案。這些控制器特别适用于各種終端裝置中的直流/直流和交流/直流電源轉換電路，提供了一種高效、可靠的電能管了解決方案。
力生美PWM控制器晶片
充電頭網總結了力生美推出的多款PWM控制器晶片，并彙總成下表所示，詳細介紹了這些晶片的具體型号以及相關特性。
力生美LN9T27GDH
力生美LN9T27GDH是一顆内置680V開關管的開關電源晶片，采用電流模式控制，具有低待機功耗，低成本以及高性能優勢。
晶片待機功耗低至50mW，内置的軟啟動電路可以降低開關沖擊，增強的輕載控制優化了轉換效率，晶片内置逐周期電流限制，支援輸出過流、過載和短路保護，支援45W功率輸出。
力生美 LN9T27GDH 詳細資料。
力生美LN9T33HV
力生美LN9T33HV是一款最高支援75V供電的高性能AC/DC開關電源PWM功率開關，專為PD/QC等多款輸出變化系統而設計，内置高壓MOSFET的寬VCC電壓供電大功率開關電源晶片，内置650V MOSFET高壓功率開關，可在85~265Vac 的寬電網電壓條件下工作，滿足全球電網應用要求。
LN9T33HV滿足DoE6級及CoC V5能效要求，無負載待機功耗可低至50mW以下，内置軟啟動控制電路降低開關機沖擊，内置第二代C.Y.™技術優化EMI性能，内置振蕩器且具有最大65KHz頻率限制。
LN9T33HV還提供了非常完善的具有自動恢複功能的保護電路，包括逐周期電流限制，具有高低壓補償功能的輸出過載保護，VDD過壓保護與欠壓鎖定功能，可外部設定回報開環時輸出過壓精確定護功能和輸入欠壓功能。采用力生美半導體自主研發的TSIP7封裝形式，體積小，易于安裝散熱。
力生美LN3C61AF
LN3C61AF是一款高性能、高度內建的PWM控制器晶片，支援9~40V的工作電壓，易于建構低待機功耗、低成本、高性能的解決方案，并滿足低于500W功率的CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标準。
LN3C61AF的最大開關頻率可達130kHz，允許使用相對較小的變壓器尺寸來完成設計。在全谷開關模式下開關損耗非常低，同時待機功耗低，能效高，具有低頻起動特性控制優化起動性能，軟鉗的高度可靠的低EMI栅極驅動器。
LN3C61AF非常小的死區控制使系統能夠在接近臨界導通模式下工作，以提高變壓器的使用率，具備優于傳統的SSR/SR控制器架構。PWM/PFM/PBM模式多段曲線控制模式的操作進一步優化了系統在不同負載下的轉換效率，特别是在輕載轉換效率下，輕載條件将自動鎖定峰值電流門檻值以保持有效的轉換，分段調制設計使系統具有高轉換效率同時有效地避免聽覺噪音，待機功耗可低至50mW以下。
力生美LN3C66A
LN3C66A是一款高性能、高度內建的電流模式PWM控制器。該晶片内置峰值負載功率控制功能，可輕松建構大型峰值負載，達到2~10倍，低待機功耗、低成本、高性能的解決方案，符合低于200W或更高功率的CoC V5和DoE LEVEL VI的能效要求。
PWM開關頻率由晶片内部設定，并具有全溫度補償。在QR模式下，最大PWM開關頻率設定為77 kHz，在峰值負載時可達到130 kHz。IC可以在QR谷值切換和智能突發模式下運作，以減少空載或輕載條件下的開關損耗，進而實作良好的轉換效率，同時具有低待機功耗。VDD低啟動電流和工作電流可以使LN3C66A具有非常高的可靠性和使用壽命，可以使用較大值的電阻完成電路啟動，進而減少了功耗損失。
力生美LN3C69A
LN3C69A是一款高性能、高度內建的電流模式PWM控制器，具有高壓啟動功能。它易于建構低待機功耗、低成本、高性能的解決方案，滿足低于200W或更高功率的CoC V5和DoE LEVEL V的能效要求。
PWM開關頻率由晶片内部設定，并具有全溫度補償。最大PWM開關頻率在OR模式下設定為77 kHz，在峰值負載時可達到130 kHz。IC可以在OR谷值切換和智能突發模式下運作，以減少空載或輕載條件下的開關損耗，進而實作良好的轉換效率，同時具有低待機功耗。VDD低啟動電流和工作電流可以使LN3C69A具有非常高的可靠性和使用壽命，可以使用較大值的電阻來完成啟動電路，進而減少了啟動電阻的損失，進一步降低系統待機功耗。
充電頭網總結
力生美推出的多款初級PWM控制器系列展現了其在電源管理技術方面的強大能力。這些晶片均具備智能數字電源控制功能，功耗極低，覆寫多種操作模式如突發模式、脈頻調制以及連續導通模式，可以提供高效的電源調節，還内置了Vcc自保持、抖頻技術改善EMI性能、自适應MOSFET栅極驅動等特性。此外，這些晶片還包括全面的保護機制，如過載保護、變壓器飽和保護和過溫保護等，確定系統的安全可靠，可為各類電子裝置提供了高效、穩定且可靠的電源解決方案。