随着5nm之後的先進制程工藝在成本與良品率難度方面以幾何倍數提升，晶圓代工廠陷入多重困局。特别是在4nm領域受挫的三星電子，不僅丢失高通這一大客戶，更在3nm工藝進展上犯難。相比之下，台積電宣布将于今年底将N3B工藝量産，更有在2nm工藝上采用GAAFET（全環繞栅極半導體）技術的新嘗試。
對于3D NAND晶圓廠而言，1%的良率提高可能意味着每年1.1億美元的淨利潤；而對于尖端的邏輯晶圓廠而言，1%的良率提升意味着1.5億美元的淨利潤。是以提升良率是三星最亟待解決問題。
有消息表明：由于三星4nm工藝良率低，平攤後每顆骁龍8 Gen1的成本就是100美元，而之前采用台積電7nm工藝的骁龍865成本僅81美元；再加之骁龍8 Gen 1因設計問題導緻發熱量提升，是以高通迅速做出轉投台積電陣營，來生産後繼骁龍8 Gen 1 Plus的行為就非常能了解了。
顯然無論是5nm還是4nm工藝代工，三星電子都處于劣勢地位。是以早在2021年6月，就傳出采用GAAFET（全環繞栅極半導體）技術的三星3nm工藝已成功流片，距離量産又更近了一步。怎奈，流片成功是一回事，但實際量産又是另一個緯度。有南韓媒體報道顯示，三星電子3nm制程工藝的良品率僅有10%-20%，遠不及公司期望的目标，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙紮。
另一位晶圓代工巨頭台積電似乎在先進制程工藝上也走得不是那麼順暢，但相比三星電子而言還是要好很多。
不僅在5nm工藝的蘋果A15以及4nm工藝天玑9000系列SoC的良率及發熱量上口碑尚可，而且日前宣布将于今年下半年量産3nm工藝制程，并繼續采用相對成熟的finFET（鳍式場效應半導體）技術。
當然台積電的2nm工藝正在研發中，該工藝将會在2024年開始預生産，與于2025年正式投産。據悉，台積電将會在2nm工藝上采用更為先進的GAAFET（全環繞栅極半導體）。
最背景積電預測，HPC（高性能計算）将會是其今年增長最快的領域。上一季度HPC占其收入的41%，已經比智能手機産生的40%略高。可見，三星電子如果在今年不能找到提升先進制程良率的方案，不僅客戶丢失，還會影響下一步新技術的跟進速度。