随着5nm之后的先进制程工艺在成本与良品率难度方面以几何倍数提升，晶圆代工厂陷入多重困局。特别是在4nm领域受挫的三星电子，不仅丢失高通这一大客户，更在3nm工艺进展上犯难。相比之下，台积电宣布将于今年底将N3B工艺量产，更有在2nm工艺上采用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术的新尝试。
对于3D NAND晶圆厂而言，1%的良率提高可能意味着每年1.1亿美元的净利润；而对于尖端的逻辑晶圆厂而言，1%的良率提升意味着1.5亿美元的净利润。因此提升良率是三星最亟待解决问题。
有消息表明：由于三星4nm工艺良率低，平摊后每颗骁龙8 Gen1的成本就是100美元，而之前采用台积电7nm工艺的骁龙865成本仅81美元；再加之骁龙8 Gen 1因设计问题导致发热量提升，因此高通迅速做出转投台积电阵营，来生产后继骁龙8 Gen 1 Plus的行为就非常能理解了。
显然无论是5nm还是4nm工艺代工，三星电子都处于劣势地位。因此早在2021年6月，就传出采用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术的三星3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步。怎奈，流片成功是一回事，但实际量产又是另一个纬度。有韩国媒体报道显示，三星电子3nm制程工艺的良品率仅有10%-20%，远不及公司期望的目标，在提升3nm工艺的良品率方面，也陷入了挣扎。
另一位晶圆代工巨头台积电似乎在先进制程工艺上也走得不是那么顺畅，但相比三星电子而言还是要好很多。
不仅在5nm工艺的苹果A15以及4nm工艺天玑9000系列SoC的良率及发热量上口碑尚可，而且日前宣布将于今年下半年量产3nm工艺制程，并继续采用相对成熟的finFET（鳍式场效应晶体管）技术。
当然台积电的2nm工艺正在研发中，该工艺将会在2024年开始预生产，与于2025年正式投产。据悉，台积电将会在2nm工艺上采用更为先进的GAAFET（全环绕栅极晶体管）。
最后台积电预测，HPC（高性能计算）将会是其今年增长最快的领域。上一季度HPC占其收入的41%，已经比智能手机产生的40%略高。可见，三星电子如果在今年不能找到提升先进制程良率的方案，不仅客户丢失，还会影响下一步新技术的跟进速度。