業内消息稱三星将在年底推出200層＋NAND閃存

圖源：businesskorea

集微網消息，全球半導體企業為了率先批量生産200層以上NAND閃存，展開了激烈的技術競争。三星電子計劃在2022年底或2023年上半年推出200層以上NAND閃存，并在明年上半年開始批量生産。

據businesskorea報道，三星電子原計劃在2021年末開始量産176層NAND，但考慮到市場情況，推遲到了2022年第一季度。不過美國的美光已經開始量産176層NAND，業内人士預測，三星電子将加快200層以上NAND閃存量産的步伐，以奪回被美光奪走的技術領先地位。

業内人士稱，三星電子将在128層的單片存儲器上疊加96層，推出224層的NAND閃存。與176層相比，224層NAND閃存的生産效率和資料傳輸速度将提高30%。

另外，美光和SK海力士也在加速200層以上NAND閃存的開發。

（校對/Yuki）