盛美上海推出新型化合物半導體系列裝置加強濕法工藝産品線

IT之家 1 月 31 日消息，盛美半導體裝置（上海）股份有限公司 (簡稱盛美上海)，一家為半導體前道和先進晶圓級封裝（WLP）應用提供晶圓工藝解決方案的供應商，推出了支援化合物半導體制造的綜合裝置系列。

盛美半導體裝置公司的 150-200 毫米相容系統将前道內建電路濕法系列産品、後道先進晶圓級封裝濕法系列産品進行拓展，可支援化合物半導體領域的應用，包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等工藝。化合物半導體濕法工藝産品線包括塗膠裝置、顯影裝置、光阻去膠裝置、濕法蝕刻裝置、清洗裝置和金屬電鍍裝置，并自動相容平邊或缺口晶圓。

盛美上海的化合物半導體裝置系列

Ultra C 碳化矽清洗裝置

盛美上海的 Ultra C 碳化矽清洗裝置采用硫酸雙氧水混合物 (SPM) 進行表面氧化，并采用氫氟酸 (HF) 去除殘留物，進行碳化矽晶圓的清洗。該裝置還內建盛美上海的 SAPS 和 Megasonix 技術實作更全面更深層次的清洗。Ultra C 碳化矽清洗裝置可提供行業領先的清潔度，達到每片晶圓顆粒≤10ea0.3um，金屬含量＜ 1E10atoms / cm3 水準。該裝置每小時可清洗超過 70 片晶圓，将于 2022 年下半年上市。

Ultra C 濕法刻蝕裝置

可為砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工藝提供＜2% 的均勻度，＜ 10% 的共面度及＜ 3% 的重複度。Ultra C 濕法刻蝕裝置可提供行業領先的化學溫度控制、刻蝕均勻性。該裝置将于 2022 年第三季度傳遞給某重要客戶，并由其進行測試。

Ultra ECP GIII 1309 裝置

盛美上海的 Ultra ECP GIII 1309 裝置內建了預濕和後清洗腔，支援用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料，以及重分布層 (RDL) 和凸點下金屬化 (UBM) 工藝。裝置實作了晶圓内和模内小于 3% 的均勻度和小于 2% 的重複度。該裝置已于 2021 年中傳遞給客戶，并滿足客戶技術要求。

Ultra ECP GIII 1108 裝置

Ultra ECP GIII 1108 裝置提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝，內建預濕和後清洗腔。裝置采用盛美上海久經考驗的栅闆技術進行深孔電鍍，以提高階梯覆寫率。它可達到晶圓内和模内＜ 3% 的均勻度和＜ 2% 的重複度。腔體和工藝槽體經過專門設計，可避免金電鍍液的氧化，且工藝槽體具有氮氣吹掃功能，可減少氧化。該裝置已于去年年底交貨給關鍵客戶。

Ultra C ct 塗膠裝置

盛美上海的 Ultra C ct 塗膠裝置采用二次旋轉塗膠技術，可實作均勻塗膠。裝置擁有行業領先的優勢，包括精确塗膠控制、自動清洗功能、冷熱闆子產品以及每個腔體的獨立過程控制功能。

Ultra C dv 顯影裝置

在化合物半導體工藝中，盛美上海的 Ultra C dv 顯影裝置可進行曝光後烘烤、顯影和硬烤的關鍵步驟。裝置利用盛美上海的先進技術，可按要求實作 +/-0.03 LPM 的流量和 +/-0.5 攝氏度的溫度控制。

Ultra C s 刷洗裝置

Ultra C s 刷洗裝置以盛美上海先進的濕法清洗技術為基礎，實作優秀的污染物去除效果。該裝置通過氮氣霧化二流體清洗或高壓清洗實作高性能，以更有效地清洗小顆粒。此外，裝置還可相容盛美上海專有的兆聲波清洗技術，以確定優良的顆粒去除效率（PRE），且不會損壞精細的圖形結構。

Ultra C pr 濕法去膠裝置

盛美上海的 Ultra C pr 濕法去膠裝置利用槽式浸泡和單片工藝，確定高效地進行化合物半導體去膠。該裝置最近由一家全球領先的整合元件制造商（IDM）訂購，用于去除光刻膠，這進一步驗證了盛美上海的技術優勢。

Ultra SFP 無應力抛光裝置

Ultra SFP 為傳統的化學機械抛光在矽通孔 (TSV) 工藝和扇出型晶圓級封裝 (FOWLP) 應用提供了一種環保替代方案。在 TSV 應用中，盛美上海的無應力抛光 (SFP) 系統可通過運用專有的電抛光技術去除低至 0.2 m 的銅覆寫層，再使用傳統的 CMP 進一步去除剩餘銅至阻擋層，并通過濕法刻蝕去除阻擋層，進而顯著降低耗材成本。對于 FOWLP，相同的工藝可以克服由厚銅層應力引起的晶圓翹曲，并應用于 RDL 中銅覆寫層并平坦化 。

盛美上海從事對先進內建電路制造與先進晶圓級封裝制造行業至關重要的單片晶圓及槽式濕法清洗裝置、電鍍裝置、無應力抛光裝置和熱處理裝置的研發、生産和銷售，并緻力于向半導體制造商提供定制化、高性能、低消耗的工藝解決方案，來提升他們多個步驟的生産效率和産品良率。