集微網報道 随着各大存儲廠商的相關産品相繼上市，記憶體正式步入了DDR5時代，而資料中心将成為DDR5應用的重要場景。“一方面，随着資料量越來越大，人工智能、機器學習的使用日益增加，邊緣計算持續增長，這将帶來記憶體和I/O帶寬的更高需求；另一方面，資料加速向雲遷移，聯網的裝置日益增多，也帶來資料安全威脅的日益上升。”Rambus大中華區總經理蘇雷認為資料中心的快速增長正在驅動記憶體技術的需求不斷發展。
DDR5主要優勢就是提供更大的容量和更高的帶寬。不過，Rambus接口晶片部門總經理Chien-Hsin Lee指出，要跟上伺服器技術的發展，DDR5還要滿足其他四項要求：一是保持相同的記憶體讀取粒度（64位元組的高速緩存行）；二是實作相同或更好的可靠性、可用性和可服務性（RAS）功能；三是維持在冷卻功率範圍内（~15W / DIMM）；四是避免過長的啟動時間。
Rambus近期推出了第二代DDR5 RCD(寄存時鐘驅動器)晶片，不但資料傳輸速率可達5600MT/s，還可以助DDR5記憶體子產品（RDIMM）供應商應對上述挑戰。
這款晶片具有幾大亮點：在将DDR5資料速率提高了17%的同時，降低了延時和功耗；為伺服器主存儲器提供了5600MT/s DDR5 RDIMM的關鍵支援。Chien-Hsin Lee認為，該産品展現了Rambus在下一代伺服器記憶體接口晶片領域的持續領先地位，確定在開發過程當中，RDIMM将不會成為制約技術發展的瓶頸。
他進一步指出，DIMM記憶體接口晶片減少了負載數量，讓整體的容量和性能得到提升，但如果不做任何系統或技術上的改進，這樣的操作可能會帶來相應帶寬的犧牲，“Rambus通過相關技術非常好地解決了這個問題，是以在提升記憶體容量的同時，帶寬也得到了很好的提升。”
通過對比DDR5 DIMMs與DDR4 DIMMs，可以看到性能的全面提升，無論是通道架構、CA總線、突發長度方面，DDR5 DIMMs的進步都非常明顯。
尤其重要的是，DRAM晶片密度得到了大幅增加。Chien-Hsin Lee表示，DDR4 SDP可達16Gb，DDR5則提升至64Gb，由此帶來DIMMs方面非常重要的容量提升，由DDR4的64GB提升至DDR5的256GB。另外，DDR4實作了8 DRAM的堆疊，而通過最新的堆疊技術，DDR5可以實作16個DRAM的堆疊。“最終DDR5 DIMM的容量甚至可以達到TB級，這是一個非常大的優勢。”
Chien-Hsin Lee指出Rambus晶片針對伺服器的三個設計：一是引入了一個新的PMIC，将電源管理從主機闆轉移到DIMM本身，更好地根據具體需求調節功率；二是CA總線引入I3C-HUB，使得帶寬能夠提高10倍；熱傳感器的使用，讓系統自主決定輸出的性能和功率。
對于電源部分設計的改動，Chien-Hsin Lee解釋道：“首先是降低了VDD電壓以順應市場的需求，并且将PMIC從主機闆向DIMM遷移之後，可以很好地控制噪音以及一些其他問題。”
“在設計改動、包括VDD降低之後，确實給我們整體的設計帶來一些挑戰。為了保持性能不變或進一步提升，Rambus一直在均衡器技術方面有強大的優勢。與DDR4進行對比，非常重要的是，DDR5引入了決策回報均衡（DFE）技術。DFE和第二代 RCD技術的使用可以很好地幫助我們解決這些問題，在降低電壓的同時保持相對比較好的性能。”他強調。
随着國内的模組廠商開始陸續出貨DDR5産品，Rambus的RCD晶片所受的關注正在不斷增加。蘇雷表示：“作為知名的IP供應商，Rambus在實作高性能系統方面擁有30年的曆史。其提供的DDR5記憶體接口晶片，以高性能高設計裕度可以滿足模組制造商在設計制造DDR5時面對的更高信号完整性和電源完整性挑戰。”
他最後表示：“圍繞資料中心中很多關注熱點，比如高速SerDes接口傳輸、高帶寬低功耗HBM、CXL資料中心互聯，Rambus和中國的廣大合作夥伴已經展開緊密的技術溝通和合作。在資料中心的安全性方面，我們對靜态資料、動态資料安全保護都有着專門的安全産品方案，可以為資料中心安全性保駕護航助力。總體而言，我們會深耕于中國市場，通過不斷加大投入和将最新技術帶給中國夥伴，堅持‘In China, for China’。”
（校對/Andrew）