摘要： 在上月的ITF大會上，imec（比利時微電子研究中心）公布的藍圖顯示，2025年後半導體進入埃米尺度（ ，angstrom，1埃 = 0.1納米），其中2025對應A14（14 =1.4納米），2027年為A10（10 =1nm）、2029年為A7（7 ＝0.7納米）。
在上月的ITF大會上，imec（比利時微電子研究中心）公布的藍圖顯示，2025年後半導體進入埃米尺度（ ，angstrom，1埃 = 0.1納米），其中2025對應A14（14 =1.4納米），2027年為A10（10 =1nm）、2029年為A7（7 ＝0.7納米）。
當時imec就表示，除了新半導體結構、2D材料，還有很關鍵的一環就是High NA（高數值孔徑）EUV光刻機。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機一号試做機（EXE:5000）會在2023年由ASML提供給imec，2026年量産。
不過，本月與媒體交流時，ASML似乎暗示這個進度要提前。第一台高NA EUV光刻機2023年開放早期通路，2024年到2025年開放給客戶進行研發并從2025年開始量産。
據悉，相較于目前0.33NA的EUV光刻機，0.55NA有了革命性進步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。
分析師Alan Priestley稱，0.55NA光刻機一台的價格會高達3億美元（約合19億），是目前0.33NA的兩倍。
早在今年7月，Intel就表态緻力于成為高NA光刻機的首個客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，并将高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。
來源：快科技