英特爾新半導體設計專利：
根據最近曝光的專利檔案，英特爾正在研究Forksheet半導體，未來它可能應用到2nm工藝節點當中。新設計将n型和p型納米片緊密地靠在一起，并且其間有一層“絕緣牆”，可以帶來更高半導體的密度。
英特爾的專利應該是以合作夥伴IMEC的Forksheet為基礎。IMEC在2019年宣布開發出Forksheet半導體，根據IMEC的研究資料，該技術能夠顯著提高半導體密度，并帶來10%的性能提升或24%的能源效率提升，CPU中高速緩存SRAM占用的空間能夠降低30%。
現在還很難說Forksheet半導體何時能夠實用化，半導體技術的研究和制造規劃是一個持續多年的過程。現在第12代酷睿中使用的Intel 7工藝（10nm）是在2008年首次提出的，現任英特爾首席執行官帕特·基辛格當時的職位是首席技術官。
Solidigm閃存技術發展方向：
SK hynix收購英特爾NAND閃存和SSD業務部門後成立了Solidigm。Solidigm現在擁有遍布全球20個地點的2000多名員工，以及一家位于中國大連的Fab 68晶圓廠（原英特爾資産）。
SK hynix和其他絕大多數閃存原廠使用Charge Trap電荷捕獲結構，而Solidigm則繼承了英特爾的Float Gate浮栅結構。Solidigm高管在接受Blocks&Files采訪時表示，電荷捕獲結構能夠滿足高端工作站和發燒友相關領域的需求，而浮栅結構具有可擴充性和提供更高存儲密度能力，更适合資料中心應用。Solidigm不會把所有籌碼全部押在電荷捕獲結構或浮栅結構上。
英特爾曾在2020年預測SSD個HDD的TCO總擁有成本将在2022年達到交叉點。現在Solidigm似乎仍在努力去實作這一目标，其中的手段自然包括了PLC（5bit/cell）閃存。
仍在研發當中的PLC閃存似乎也是Solidigm堅持保留浮栅結構的一個原因：浮栅結構具備更好的電壓門檻值視窗，提供足夠的穩定性。PLC閃存的每個單元可以存儲5比特資料，相比目前的QLC高出25%。當然PLC也會帶來性能和耐久度衰減，這不是普通消費者希望看到的，但在特定企業級應用中會有公司對它感興趣。
Solidigm計劃在今年上半年推出企業級PCIe 4.0 SSD，但消費級PCIe 4.0 SSD則需要等到物料成本和PCIe 3.0相同或非常接近時才會考慮。總體來看，Solidigm現階段的政策跟英特爾時代類似，依然是企業級優先，成本和容量優先。