英特尔新晶体管设计专利：
根据最近曝光的专利文件，英特尔正在研究Forksheet晶体管，未来它可能应用到2nm工艺节点当中。新设计将n型和p型纳米片紧密地靠在一起，并且其间有一层“绝缘墙”，可以带来更高晶体管的密度。
英特尔的专利应该是以合作伙伴IMEC的Forksheet为基础。IMEC在2019年宣布开发出Forksheet晶体管，根据IMEC的研究数据，该技术能够显著提高晶体管密度，并带来10%的性能提升或24%的能源效率提升，CPU中高速缓存SRAM占用的空间能够降低30%。
现在还很难说Forksheet晶体管何时能够实用化，半导体技术的研究和制造规划是一个持续多年的过程。现在第12代酷睿中使用的Intel 7工艺（10nm）是在2008年首次提出的，现任英特尔首席执行官帕特·基辛格当时的职位是首席技术官。
Solidigm闪存技术发展方向：
SK hynix收购英特尔NAND闪存和SSD业务部门后成立了Solidigm。Solidigm现在拥有遍布全球20个地点的2000多名员工，以及一家位于中国大连的Fab 68晶圆厂（原英特尔资产）。
SK hynix和其他绝大多数闪存原厂使用Charge Trap电荷捕获结构，而Solidigm则继承了英特尔的Float Gate浮栅结构。Solidigm高管在接受Blocks&Files采访时表示，电荷捕获结构能够满足高端工作站和发烧友相关领域的需求，而浮栅结构具有可扩展性和提供更高存储密度能力，更适合数据中心应用。Solidigm不会把所有筹码全部押在电荷捕获结构或浮栅结构上。
英特尔曾在2020年预测SSD个HDD的TCO总拥有成本将在2022年达到交叉点。现在Solidigm似乎仍在努力去实现这一目标，其中的手段自然包括了PLC（5bit/cell）闪存。
仍在研发当中的PLC闪存似乎也是Solidigm坚持保留浮栅结构的一个原因：浮栅结构具备更好的电压阈值窗口，提供足够的稳定性。PLC闪存的每个单元可以存储5比特数据，相比当前的QLC高出25%。当然PLC也会带来性能和耐久度衰减，这不是普通消费者希望看到的，但在特定企业级应用中会有公司对它感兴趣。
Solidigm计划在今年上半年推出企业级PCIe 4.0 SSD，但消费级PCIe 4.0 SSD则需要等到物料成本和PCIe 3.0相同或非常接近时才会考虑。总体来看，Solidigm现阶段的策略跟英特尔时代类似，依然是企业级优先，成本和容量优先。