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納微半導體成立全球首家針對電動汽車的氮化镓功率晶片設計中心

下一代氮化镓功率晶片将加速充電更快,駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到,并減少20%道路二氧化碳排放。

2022年1月14日,北京——氮化镓(GaN)功率晶片的行業上司者Navitas Semiconductor(納斯達克代碼:NVTS)宣布開設新的電動汽車(EV)設計中心,進一步擴充到更高功率的氮化镓市場。與傳統的矽解決方案相比,基于氮化镓的車載充電器(OBC)的充電速度估計快3倍,節能高達70%。據估計,氮化镓OBC、DC-DC轉換器和牽引逆變器将有望延長電動汽車續航裡程,或将電池成本降低5%,和原先使用矽晶片相比,氮化镓功率晶片有望加速全球EV的普及提前三年來到。據估計,到2050年,将電動汽車更新到使用GaN之後,道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少20%,這也是《巴黎協定》的減排目标。

納微半導體成立全球首家針對電動汽車的氮化镓功率晶片設計中心

氮化镓(GaN)器件是功率半導體技術的前沿,其運作速度比傳統矽晶片快20 倍。Navitas的GaNFast功率晶片內建了GaN電源、GaN驅動、保護和控制。高速和高效率已成為節能、高功率密度、低成本和更高可靠性的新行業标準。

新的設計中心位于中國上海,擁有一支經驗豐富的世界級電力系統設計師團隊,他們在電氣、熱力和機械設計、軟體開發以及完整的仿真和原型設計能力方面具有全面的能力。新團隊将在全球範圍内為電動汽車客戶提供支援,從概念到原型,再到全面認證和大規模生産。

著名電動汽車行業專家、上海設計中心新任進階總監孫浩先生表示:“設計中心将為全功能、可産品化的電動汽車動力系統開發原理圖、布局和固件。Navitas将與OBC、DC-DC和牽引系統公司合作,建立具有最高功率密度和最高效率的創新世界級解決方案,以推動GaN進入主流電動汽車。”

為EV應用量身定制的高功率650V GaN IC 已于2021年12 月向EV客戶提供樣品。在最近的小米産投日活動上,納微展示了6.6kW OBC概念模型,後在CES上也進行了展示。

“納微半導體電動汽車團隊在提供動力系統方面擁有豐富的人才和成熟的經驗,”納微半導體副總裁兼中國區總經理查瑩傑表示。“對于 GaN來說,電動汽車是一個令人興奮的擴充市場,估計每輛EV内,氮化镓的潛在價值為250美元。逐個市場來看,Navitas正在快速推進到更高功率的應用,例如電動汽車、資料中心和太陽能。”

制造氮化镓功率晶片的二氧化碳排放量比矽晶片低10倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量優勢,每個出貨的納微氮化镓功率晶片相比矽可以節省大約4公斤的二氧化碳。總體而言,到2050年GaN有望解決每年2.6Gton 的二氧化碳排放量減少問題。

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