IT之家 1 月 12 日消息，根據外媒 techspot 報道，本月早些時候，英國蘭開斯特大學實體與工程系的研究人員發表了一篇論文，詳細介紹了 UltraRAM“超高效存儲”技術近期取得的重要進展。
這項技術的目标是将非易失閃存 NAND、易失性記憶體 RAM 結合在一起，兼顧能效，具有極高的耐用性。此前，英特爾 Optane 傲騰已經做出了先行嘗試，量産了傲騰記憶體産品，但是仍不足以完全替代 RAM。與此同時，三星也有 Z-NAND 技術，铠俠和西部資料也希望将 XL-FLASH 存儲應用到消費級或企業級存儲産品中。
具體來看，UltraRAM 晶片的制造技術，與 LED、雷射器、光電半導體等半導體元件相似。從結構上看，這種存儲技術采用矽襯底，相比砷化镓成本大幅降低。晶片具有複雜的多層結構，中央的結構還使用了氧化鋁進行隔離。
科學家表示，UltraRAM 的制造成本比較低，其擁有很高的成本效益。目前已經制造出的測試用原型，可以保證資料能夠儲存 1000 年，擦寫次數可以超過 1000 萬，幾乎不需要考慮耐久性。如果這種存儲晶片能夠實作比肩傳統 RAM 的速度的話，将會對行業産生重大影響。
制造過程圖解：
IT之家了解到，UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力學效應，在施加電壓後，允許勢壘從不透明專為透明。與 RAM 和 NAND 閃存使用的寫入技術相比，UltraRAM 的寫入過程非常節能，是以有助于提高移動裝置的續航時間。
蘭開斯特大學的研究人員表示，他們需要進一步改進存儲單元的制造技術，提高存儲密度。這項技術有很大的潛力，可以消除傳統計算機與專用記憶體進行資料傳輸的過程。