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英特爾CEO亞洲行通路台積電,三星和IBM開發VTFET垂直半導體技術

帕特·基辛格造訪台積電:

英特爾需要台積電的先進制程代工服務,但也在争取美國半導體扶植資金上同台積電激烈競争,雙方既要合作又有競争,關系十分微妙。英特爾CEO帕特·基辛格亞洲行的第一站,同台積電舉行了閉門會談。

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英特爾計劃于明年釋出的Alchemist 和 Ponte Vecchio GPU都需要台積電代工,預計後年上市的第14代酷睿Meteor Lake也可能會包含部分由台積電代工的元件。帕特·基辛格此行應該會全力確定台積電能夠為其提供足夠的供應。

本周帕特·基辛格還将前往馬來西亞,英特爾可能會宣布在槟城投資71億美元建設新的晶片封裝廠。

三星IBM聯合推出VTFET垂直半導體:

三星和IBM為延續摩爾定律給出自己的答案:VTFET垂直傳輸場效應半導體。同按比例縮放的FinFET相比,VTFET可将性能翻倍,或将能源消耗量降低85%。

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傳統的半導體被制造成水準放置,電流橫向從一側流到另一側,現在橫向架構在激進的栅極間距下接近縮放限制。

英特爾CEO亞洲行通路台積電,三星和IBM開發VTFET垂直半導體技術

借助新的VTFET,IBM和三星成功實作了垂直于晶片表面建構半導體,具有垂直或上下的電流:“擺脫了橫向布局和電流流動的限制,我們能夠使用更大的源/漏觸點來增加器件上的電流。可以選擇栅極長度來優化器件驅動電流和洩漏,而隔離層厚度可以獨立優化以降低電容。我們不再被迫在栅極、隔離物和觸點尺寸之間進行權衡,這可以提高開關速度并降低功耗。”

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VTFET工藝解決了很多性能障礙和限制,IBM認為它代表着建構下一代半導體的巨大飛躍,将使未來幾年可以制造出更小、更強大和更節能的裝置。

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或許摩爾定律終結會像石油枯竭的危機一樣,看似近在眼前,卻并不會真的很快到來?

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