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英特尔CEO亚洲行访问台积电,三星和IBM开发VTFET垂直晶体管技术

帕特·基辛格造访台积电:

英特尔需要台积电的先进制程代工服务,但也在争取美国半导体扶植资金上同台积电激烈竞争,双方既要合作又有竞争,关系十分微妙。英特尔CEO帕特·基辛格亚洲行的第一站,同台积电举行了闭门会谈。

英特尔CEO亚洲行访问台积电,三星和IBM开发VTFET垂直晶体管技术

英特尔计划于明年发布的Alchemist 和 Ponte Vecchio GPU都需要台积电代工,预计后年上市的第14代酷睿Meteor Lake也可能会包含部分由台积电代工的组件。帕特·基辛格此行应该会全力确保台积电能够为其提供足够的供应。

本周帕特·基辛格还将前往马来西亚,英特尔可能会宣布在槟城投资71亿美元建设新的芯片封装厂。

三星IBM联合推出VTFET垂直晶体管:

三星和IBM为延续摩尔定律给出自己的答案:VTFET垂直传输场效应晶体管。同按比例缩放的FinFET相比,VTFET可将性能翻倍,或将能源消耗量降低85%。

英特尔CEO亚洲行访问台积电,三星和IBM开发VTFET垂直晶体管技术

传统的晶体管被制造成水平放置,电流横向从一侧流到另一侧,现在横向架构在激进的栅极间距下接近缩放限制。

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借助新的VTFET,IBM和三星成功实现了垂直于芯片表面构建晶体管,具有垂直或上下的电流:“摆脱了横向布局和电流流动的限制,我们能够使用更大的源/漏触点来增加器件上的电流。可以选择栅极长度来优化器件驱动电流和泄漏,而隔离层厚度可以独立优化以降低电容。我们不再被迫在栅极、隔离物和触点尺寸之间进行权衡,这可以提高开关速度并降低功耗。”

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VTFET工艺解决了很多性能障碍和限制,IBM认为它代表着构建下一代晶体管的巨大飞跃,将使未来几年可以制造出更小、更强大和更节能的设备。

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或许摩尔定律终结会像石油枯竭的危机一样,看似近在眼前,却并不会真的很快到来?

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