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探索摻雜La的Nd2-xPrxCuO4材料的物質特性、結構轉變和互相關系 前言:兩種不同的晶體結構類型,即四方晶體結構T

作者:雲陵川

探索摻雜La的Nd2-xPrxCuO4材料的物質特性、結構轉變和互相關系

前言:兩種不同的晶體結構類型,即四方晶體結構T´和四方畸變和正交畸變的K2NiF4型結構T/O,這些結構的原始化合物分别為T´結構的Nd2CuO4和T/O結構的La2CuO4,為了研究這兩種結構之間的相變,将La摻雜到Nd1.8Pr0.2CuO4中,得到了一系列的Nd1.8-xLaxPr0.2CuO4材料。

通過固相法,制備了一系列不同La含量的材料,範圍從x=0到x=1.8,每次增加0.1,共檢測了19個不同組成的樣品,以建構Nd1.8-xLaxPr0.2CuO4家族的相圖。

具有吸濕性的粉末(Nd2O3、Pr6O11、La2O3)在高達900°C的溫度下幹燥了30分鐘,随後,用丙酮将準确配比的Nd2O3(Alfa-Aeser 99.9%)、Pr6O11(Alfa-Aeser 99.9%)、CuO(Aldrich 99+ %)和La2O3(Aldrich 99.99%)稱量并研磨。

這些混合物随後在空氣中經過850°C的煅燒處理,持續36小時,之後,使用行星式球磨機對粉末進行再研磨,并重複進行850°C的熱處理(36小時),發現在850°C燒結的樣品(其中x=0.3到1.6)是兩相混合物,是以所有樣品都經過950°C的再熱處理,持續24小時,以合成NLPCO,加熱和冷卻過程均以3°C/min的速率進行。

通過在Stoe STADI/P粉末衍射儀上對粉末進行X射線衍射(XRD)分析來檢查相純度,使用CuKα1源(CuKα l =1.54056 A˚)産生入射輻射,資料采集的步長為0.02°,每個步長的采集時間為10秒,使用凡士林将樣品安裝在樣品架上。

在Bruker Axs D8 advance衍射儀上進行了室溫下的原位X射線衍射分析,該儀器配備了Lynxeye探測器,衍射範圍為10-90°,步長為0.02°,每個步長的測量時間為25秒(CuKα=1.54 Å)。

高溫下的衍射資料是在Bruker axs D8 advance衍射儀上收集的,衍射範圍為10-90°,步長為0.0148°,每個步長的計數時間為0.2秒,儀器配備了高溫Anton Paar HTK 1200N裝置和一維X射線探測器VÅNTEC-1(CuKα=1.54 Å)。

對于所有這些組成,X射線資料在每個50°C的溫度增加下,一直記錄到1000°C,但是,為每個組成(T´、T´´、T/O)選擇了感興趣的溫度,并在圖表中繪制出來,所有這些圖表都是在從1000°C冷卻到室溫的過程中繪制的,每個溫度的平衡時間為1小時。

使用FULLPROF軟體(123)對樣品的室溫晶格參數進行最小二乘拟合,使用熱重分析儀(TGA,NETZSCH/TG209)對所有單相樣品進行了熱重分析,以确定氧含量,大約20毫克的粉末在流動的5%氫氣/95%氩氣(22毫升/分鐘)的條件下,以每分鐘5攝氏度的速率從50攝氏度升溫至950攝氏度,通過考慮檢測到的品質損失,計算出氧含量。

僅對標明的單相材料組成進行了磁性性質的測量,使用MPMS超導量子幹涉儀裝置從200K到5K進行磁化率測量。

電學性能是使用小圓形的顆粒進行測量的,顆粒采用120 Mpa的單軸壓制力進行壓制,顆粒直徑為13 mm,厚度為1-2 mm,并在空氣中以950°C的溫度燒結10小時,使用四點直流技術測量導電率,在室溫至900°C的空氣中進行測量,同時還研究了在900°C下氧分壓的影響,通過引入氮氣或幹燥氩氣,通過系統沖洗直到通過YSZ氧傳感器測得穩定的p(O2)。

一旦達到穩定的氧分壓,系統被密封起來,随着氧氣通過自然洩漏重新進入系統,導電率被監測,電學行為在一些不同的組成中進行了研究,其中La的含量為x = 0.0.0.1, 0.2, 0.3, 1.7和1.8。

結論:研究結果顯示,La摻雜引起晶格常數a和c的增加,并遵循Vegard定律,在特定La含量範圍内,觀察到晶格參數的不連續變化,表明出現了相分離現象,此外,La摻雜還導緻T´相強度的降低,當La含量達到一定水準時,材料轉變為純的T´´相,通過X射線衍射分析,還發現了一種新的T´´相,其晶格常數略大于T´相,且具有更大的晶胞體積,這些發現對深入了解和應用摻雜La的Nd2-xPrxCuO4材料在相關領域具有重要意義。

探索摻雜La的Nd2-xPrxCuO4材料的物質特性、結構轉變和互相關系 前言:兩種不同的晶體結構類型,即四方晶體結構T
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