4.1 概述
一、存儲器分類
1、按存儲媒體分類
（1）半導體存儲器（易失的）
TTL：內建度比較低，功耗比較高，速度比較快
MOC：內建度高，功耗低（主要）
（2）磁表面存儲器
磁頭、載磁體
（3）磁芯存儲器
硬磁材料、環狀原件
（4）CD光牒存儲器
雷射、磁光材料
2、按存儲方式分類
（1）存取時間與實體位址無關（随機通路）
- 随機存儲器：在程式的執行過程中可讀可寫
- 隻讀存儲器：在程式的執行過程中隻讀
（2）存取時間與實體位址有關（串行通路）
- 順序存取存儲器：錄音帶
- 直接存取存儲器：磁盤
3、按在計算機中的作用分類
二、存儲器的層次結構
1、存儲器三個主要特性的關系
速度，容量，價格
分層的原因：滿足消費者需求，高速度、大容量、低價格，對使用者透明
2、緩存—主存層次和主存—輔存層次
虛拟記憶體是計算機系統記憶體管理的一種技術。它使得應用程式認為它擁有連續的可用的記憶體（一個連續完整的位址空間），而實際上，它通常是被分隔成多個實體記憶體碎片，還有部分暫時存儲在外部磁盤存儲器上，在需要時進行資料交換。目前，大多數作業系統都使用了虛拟記憶體，如Windows家族的“虛拟記憶體”；Linux的“交換空間”等。
4.2 主存儲器
一、概述
1、主存的基本組成
2、主存和CPU的聯系
3、主存中存儲單元位址的配置設定
假設存儲字長是32位：一次讀寫最多可寫32個0/1
- 位址線24根，說明在主存上一共能指向 2 24 = 16 M 2^{24}=16M 224=16M個位址
- 若字長32位,則一個字有4個位元組,是以要留2根位址線指出該字中的哪個位元組[00,01,10,11],即尋址範圍為 2 24 − 2 = 4 M 2^{24−2}=4M 224−2=4M
- 若字長16位,則一個字有2個位元組,是以要留1根位址線指出該字中的哪個位元組[0,1],即尋址範圍為 2 24 − 1 = 8 M 2^{24−1}=8M 224−1=8M
字長：一個字的位數（幾個01）
位元組（byte）：8個位數構成一個位元組（8個01是一個位元組）
4、主存的技術名額
（1）存儲容量
主存 存放二進制代碼的總位數
（2）存儲速度
1、存取時間 存儲器的通路時間，分為讀出時間和寫入時間
2、存取周期：連續兩次獨立的存儲器操作（讀或寫）所需要的最小間隔時間，分為讀周期和寫周期
3、存儲器的帶寬：位/秒
二、半導體存儲晶片簡介
1、半導體存儲晶片的基本結構
計算方式：以第一行為例，位址線可以指向 2 10 = 1024 2 ^{10}=1024 210=1024個位址，4根資料線一次可以傳遞4根位址線上的資料，是以一共是 1 K × 4 1K\times4 1K×4位
片選線:
C S ‾ \overline{CS} CS C E ‾ \overline{CE} CE
讀寫控制線：
W E ‾ \overline{WE} WE（低電平寫 高電平讀）
O E ‾ \overline{OE} OE （允許讀） W E ‾ \overline{WE} WE（允許寫）
2、半導體存儲晶片的譯碼驅動方式
（1）線選法
結構簡單，但隻适用于容量不大的存儲晶片
（2）重合法
一、随機存取存儲器（RAM）
1、靜态RAM（SRAM）
（1）、靜态RAM基本電路
①、靜态RAM基本電路的讀操作
②、靜态RAM基本電路的寫操作
（2）靜态RAM晶片舉例
① Intel2114外特性
② Intel2114RAM矩陣（64 × \times × 64）讀
③ Intel2114RAM矩陣（64 × \times × 64）寫
2、動态RAM（DRAM）
（1）動态RAM基本單元電路
讀出與原存資訊相反
寫入與輸入資訊相同
（2）動态RAM晶片舉例（Intel 1103）
讀寫操作略 4.2主存儲器-c