目錄
- 0. 基本概念
- 1. 字擴充
- 2.位擴充
- 3. 字位擴充
0. 基本概念
存儲容量： 存儲容量是主存中能存放二進制代碼的總位數，即存儲容量=存儲單元個數×存儲字長(每個存儲單元的位數)，也可用位元組總數來表示： 存儲容量=存儲單元個數*存儲字長/8
舉例：2114晶片大小為1K×4b，含義為：
| 1K | 存儲單元的個數位2^10個 |
|---|---|
| 4b | 每個存儲單元有4位 |
位址線： 存儲單元的個數=2^位址線的條數
資料線： 資料線确定存儲字長，資料線的條數=字長的位數。
字擴充、位擴充、字位擴充是對存儲容量進行擴充
字擴充：對存儲器的位址線進行擴充，例如用兩片1K×4b的晶片擴充成2K×4b的晶片
位擴充：對存儲器的資料線進行擴充，例如用兩片1K×4b的晶片擴充到1K×8b的晶片
字位擴充：對存儲器的位址線和資料線同時進行擴充，例如用4片1K×4b的晶片擴充到2K×8b的晶片
1. 字擴充
當晶片的存儲字長與主存相同而存儲單元數不足時，需要對存儲空間即位址空間進行擴充。
擴充方法：
①求出所需晶片的數目。
②将各晶片片内的位址線，資料線，讀寫線分别并聯。
③片選cs信号線單獨連接配接。用高位位址經過譯碼器譯碼而産生的輸出信号，作為各個晶片的片選信号。
舉例：
示意圖：
2.位擴充
當晶片存儲機關數與主存相同而存儲字長不足時，需要對位數進行位擴充。
擴充方法：
①求出所需晶片個數。
②将晶片的位址線，讀寫控制線，使能端并聯。
③将各晶片的資料端按順序輸出到資料總線上。
舉例：
示意圖：
3. 字位擴充
晶片需要字和位同時進行擴充。如：用L×K位晶片擴充為M×N位存儲器。
擴充方法：
①求出需要（ M×N ）/（ L×K ）塊晶片。
②擴充時分成M/L組。
③組内N/K片晶片進行位擴充，組間字擴充。
舉例：