摘要：1月14日消息，在2021年，國産DRAM記憶體晶片廠商合肥長鑫的DRAM産能已達6萬晶圓/月，預計今年的産能将翻倍，達到12萬晶圓/月的水準，同時還将推出更先進的17nm工藝DDR5/LPDDR5等記憶體晶片。
1月14日消息，在2021年，國産DRAM記憶體晶片廠商合肥長鑫的DRAM産能已達6萬晶圓/月，預計今年的産能将翻倍，達到12萬晶圓/月的水準，同時還将推出更先進的17nm工藝DDR5/LPDDR5等記憶體晶片。
據介紹，合肥長鑫存儲作為一體化存儲器制造商，專業從事動态随機存取存儲晶片(DRAM)的設計、研發、生産和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投産，2018年研發國内首個8Gb DDR4晶片，2019年Q3季度量産，2020年多款國産記憶體已經用上了長鑫的顆粒。
産能方面，長鑫在2020年、2021年分别實作了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目标，2022年的産能目标是12萬片晶圓/月，未來的産能目标是30萬片晶圓/月。
國産記憶體今年的産能目标在全球是什麼水準？此前TrendForce預測，2021年底全球記憶體産能将達到150萬晶圓/月，三星産能超過55.5萬晶圓/月，SK海力士是36萬片晶圓/月，美光也有35.5萬晶圓/月。
如果今年内國産記憶體産能如期建成，那麼合肥長鑫能進入全球第四，不過與前三名的差距還很大。
當然，國産記憶體擴增産能依然是好事，用網友的話說就是國内有自己的記憶體晶片生産，就不怕别人的記憶體廠失火、斷電、地震等災難了。
除了産能擴增，國産記憶體的技術水準也在追趕，目前長鑫量産的主要是第一代10nm級别工藝10G1，實際水準應該是19nm，主要以DDR4、LPDDR4為主，2020年報道中提到研發17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等記憶體，這是10G3代工藝，未來還有10G5工藝，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。
來源：快科技