英特爾推遲2000億美元的新晶圓廠建設計劃，或需更多時間考慮

英特爾CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在今年三月份的活動中，分享了“IDM 2.0”願景，建立了英特爾代工服務（IFS），這是英特爾IDM模式的重大革新。為了加速實作IDM 2.0戰略，英特爾将大幅度擴大産能，此前已投資約200億美元，在美國亞利桑那州的Octillo園區建立兩座晶圓廠（Fab 52和Fab 62）。

對于英特爾龐大的産能擴充計劃來說，200億美元的投資隻是其中的一小部分。事實上，英特爾原計劃的整體投資規模将超過2000億美元，包括在美國和歐洲地區建設新的晶圓廠，以及在世界各地更新相關設施，比如近期英特爾就投資70億美元在馬來西亞建造一間新的晶片封裝和測試工廠，以加強全球範圍内的半導體生産能力。

英特爾高達2000億美元的計劃原定于今年年末公布具體方案，主要涉及美國和歐洲地區的大規模建立項目。不過據TomsHardware報道，目前英特爾已經将時間推遲到2022年初，這可能牽涉到項目中遇到的複雜問題，需要考慮諸多因素的影響，比如這種大規模投資涉及到政府的補貼和稅收優惠等政策。

此前英特爾曾宣稱，會在美國興建一座半導體制造中心，新的制造基地會擁有6到8個半導體制造子產品，使用英特爾最先進的制造技術（4nm或3nm工藝）和晶片封裝（比如EMIB和Foveros封裝技術）設施，而且會有一座專用的發電廠。每個半導體制造子產品的成本會在100億至150億美元之間，帕特·基辛格表示将計劃投資1000億美元。

在更早之前，有媒體報道英特爾在歐洲會分兩個階段打造工廠群，第一階段首先會投資大概200億美元建造兩座晶圓廠，然後再分階段建造六座晶圓廠，其廠區最終會有八座晶圓廠，成為價值1000億美元的半導體制造基地。