美股研究社獲悉,據钛媒體App 12月16日消息,今天索尼半導體解決方案宣布其已成功開發出全球首個雙層半導體像素堆疊式CIS技術。新技術讓光電二極管分别置于不同的基片層。使獨立優化光電二極管和像素半導體架構成為了可能,飽和信号量相較傳統圖像傳感器增加約一倍,同時還能增加放大半導體的尺寸,大幅降低在昏暗場景下的噪點問題。

美股研究社獲悉,據钛媒體App 12月16日消息,今天索尼半導體解決方案宣布其已成功開發出全球首個雙層半導體像素堆疊式CIS技術。新技術讓光電二極管分别置于不同的基片層。使獨立優化光電二極管和像素半導體架構成為了可能,飽和信号量相較傳統圖像傳感器增加約一倍,同時還能增加放大半導體的尺寸,大幅降低在昏暗場景下的噪點問題。