随着全球數字化轉型的加速，尤其是5G、雲計算、大資料和人工智能技術的快速發展，，目前市面上對高性能存儲晶片的需求顯著增加。這些技術背後的資料處理和存儲需求推動了對動态随機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等存儲晶片的大量采購。
例如，高端AI伺服器為了提升運算速度，需要采用包含高帶寬記憶體（HBM）的高端AI晶片。如NVIDIA A100 80GB，其中每4到8張計算卡就需要320-640GB的HBM，進而在市場上形成了對這類高性能存儲晶片的巨大需求。由此而來的，就是高性能存儲晶片價格的節節攀升。
在2024年開年之際，全球存儲晶片市場迎來了價格的新一輪上漲。據報道三星、美光等全球頭部存儲晶片企業計劃在2024年一季度将動态随機存取存儲器（DRAM）晶片價格上漲15%至20%。
根據集邦咨詢分析師的預測，2024年一季度全球市場DRAM合約價整體漲幅為13%至18%，延續了2023年第四季度的上漲态勢。根據資料分析顯示，存儲晶片目前的價格與2023年同期相比已經上漲了大約50%。
回顧過去，存儲産品價格在2023年見底後開始回升。其中典型DRAM顆粒現貨平均價在2023年9月份見底，典型DRAM記憶體條管道平均價在2023年8月份見底，典型NAND Flash（閃存存儲器）合約平均價則在2023年4月份見底。從2023年四季度開始，DRAM和NAND Flash合約價均實作了13%至18%的漲幅。
以SK海力士舉例，其作為全球HBM的龍頭廠商，在2023年第四季度營收攀升至11.3萬億韓元（約合84.57億美元），同比增長47.4%。營業利潤由上年同期的虧損1.91萬億韓元轉變為盈利3460億韓元（約合2.59億美元）。
但是對于中國來說，存儲晶片的價格上漲并不是一個好消息。衆所周知，中國是一個晶片進口大國。在2022年，中國買走了全球30%的存儲晶片，超過1000億美元。
其中大約430億美元的晶片用在中國自己的産品身上，而剩下的晶片則被裝配在了HP、DELL、蘋果等國外品牌産品中。
而按照目前存儲晶片的漲幅趨勢來看，2024年，在購買同樣數量晶片的情況下，中方企業至少要多出500億美元的資金，換算成人民币已經接近3600億元，可以說之是以要出這筆“冤枉錢”，就是大陸為自研能力不足所付出的代價。
而之是以形成這種情況，并不是大陸的企業對科研不熱衷或者投入不夠，而是因為美國想要收割中國，就不能讓中國在技術上有所突破。
其實自2022年下半年起，中國晶片行業尤其在存儲晶片領域就已經取得顯著突破，當時中國率先實作了全球最先進的232層NAND flash晶片的量産，這一成就打破了美日韓長期以來在存儲晶片市場的壟斷地位。
而面對中國存儲晶片技術的快速進步，美國等國家開始采用各種手段限制中國的技術發展。這包括限制向中國出口關鍵的半導體制造裝置，以及限制向中國出口高性能的晶片，進而對中國存儲晶片企業的技術發展構成阻礙。
在這種外部壓力下，中國的存儲晶片研發進度相對放緩，而美日韓的企業則加快了自己的技術研發步伐。
到2023年，中國存儲晶片企業的技術發展仍然停留在232層NAND flash上，而此時，美日韓的存儲晶片企業已經宣布成功研發出300層以上的NAND flash存儲晶片。而美、日等國家就是依靠這種技術優勢建立了定價權，而中國企業能做的隻有“乖乖掏錢”。
在這種關鍵時候，像長江存儲這種行業龍頭企業，應該發揮其自身的技術優勢，改變這種被動的局面。
長江存儲，作為中國自主研發的存儲晶片生産企業，擁有突破外部限制、提升國内産業鍊自給自足能力的關鍵機遇。面對目前的市場形勢，長江存儲等國内企業應采取哪些政策來應對呢？
長江存儲應該加大技術研發投入，縮小與國際領先企業的技術差距，特别是在NAND flash等關鍵領域，争取在下一個技術更疊周期中取得領先。
中國企業在2022年下半年就實作了232層NAND flash晶片的量産，這表明中國在高端存儲技術領域具備突破的潛力。隻是被美國采取的封鎖政策“封印”住了實力而已。
而要打破美國的封鎖，就要增強供應鍊的穩定性和自主可控能力，通過多元化政策減少對單一國家或地區的依賴。面對外部壓力，尋求國内外合作夥伴，共同建構更加堅韌的供應鍊體系。
除了企業自身的努力，國家層面和企業層面應同步推進，不僅加強晶片産業的戰略規劃和政策支援，同時鼓勵企業間的合作與整合，提升整個産業鍊的競争力和影響力。
隻有這樣，才能打破日、美等國的科技壟斷，而不是像現在這樣，為了買産品白白掏冤枉錢。