随着全球数字化转型的加速，尤其是5G、云计算、大数据和人工智能技术的快速发展，，目前市面上对高性能存储芯片的需求显著增加。这些技术背后的数据处理和存储需求推动了对动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存等存储芯片的大量采购。
例如，高端AI服务器为了提升运算速度，需要采用包含高带宽内存（HBM）的高端AI芯片。如NVIDIA A100 80GB，其中每4到8张计算卡就需要320-640GB的HBM，从而在市场上形成了对这类高性能存储芯片的巨大需求。由此而来的，就是高性能存储芯片价格的节节攀升。
在2024年开年之际，全球存储芯片市场迎来了价格的新一轮上涨。据报道三星、美光等全球头部存储芯片企业计划在2024年一季度将动态随机存取存储器（DRAM）芯片价格上涨15%至20%。
根据集邦咨询分析师的预测，2024年一季度全球市场DRAM合约价整体涨幅为13%至18%，延续了2023年第四季度的上涨态势。根据数据分析显示，存储芯片目前的价格与2023年同期相比已经上涨了大约50%。
回顾过去，存储产品价格在2023年见底后开始回升。其中典型DRAM颗粒现货平均价在2023年9月份见底，典型DRAM内存条渠道平均价在2023年8月份见底，典型NAND Flash（闪存存储器）合约平均价则在2023年4月份见底。从2023年四季度开始，DRAM和NAND Flash合约价均实现了13%至18%的涨幅。
以SK海力士举例，其作为全球HBM的龙头厂商，在2023年第四季度营收攀升至11.3万亿韩元（约合84.57亿美元），同比增长47.4%。营业利润由上年同期的亏损1.91万亿韩元转变为盈利3460亿韩元（约合2.59亿美元）。
但是对于中国来说，存储芯片的价格上涨并不是一个好消息。众所周知，中国是一个芯片进口大国。在2022年，中国买走了全球30%的存储芯片，超过1000亿美元。
其中大约430亿美元的芯片用在中国自己的产品身上，而剩下的芯片则被装配在了HP、DELL、苹果等国外品牌产品中。
而按照目前存储芯片的涨幅趋势来看，2024年，在购买同样数量芯片的情况下，中方企业至少要多出500亿美元的资金，换算成人民币已经接近3600亿元，可以说之所以要出这笔“冤枉钱”，就是大陆为自研能力不足所付出的代价。
而之所以形成这种情况，并不是大陆的企业对科研不热衷或者投入不够，而是因为美国想要收割中国，就不能让中国在技术上有所突破。
其实自2022年下半年起，中国芯片行业尤其在存储芯片领域就已经取得显著突破，当时中国率先实现了全球最先进的232层NAND flash芯片的量产，这一成就打破了美日韩长期以来在存储芯片市场的垄断地位。
而面对中国存储芯片技术的快速进步，美国等国家开始采用各种手段限制中国的技术发展。这包括限制向中国出口关键的半导体制造设备，以及限制向中国出口高性能的芯片，从而对中国存储芯片企业的技术发展构成阻碍。
在这种外部压力下，中国的存储芯片研发进度相对放缓，而美日韩的企业则加快了自己的技术研发步伐。
到2023年，中国存储芯片企业的技术发展仍然停留在232层NAND flash上，而此时，美日韩的存储芯片企业已经宣布成功研发出300层以上的NAND flash存储芯片。而美、日等国家就是依靠这种技术优势建立了定价权，而中国企业能做的只有“乖乖掏钱”。
在这种关键时候，像长江存储这种行业龙头企业，应该发挥其自身的技术优势，改变这种被动的局面。
长江存储，作为中国自主研发的存储芯片生产企业，拥有突破外部限制、提升国内产业链自给自足能力的关键机遇。面对当前的市场形势，长江存储等国内企业应采取哪些策略来应对呢？
长江存储应该加大技术研发投入，缩小与国际领先企业的技术差距，特别是在NAND flash等关键领域，争取在下一个技术更迭周期中取得领先。
中国企业在2022年下半年就实现了232层NAND flash芯片的量产，这表明中国在高端存储技术领域具备突破的潜力。只是被美国采取的封锁政策“封印”住了实力而已。
而要打破美国的封锁，就要增强供应链的稳定性和自主可控能力，通过多元化策略减少对单一国家或地区的依赖。面对外部压力，寻求国内外合作伙伴，共同构建更加坚韧的供应链体系。
除了企业自身的努力，国家层面和企业层面应同步推进，不仅加强芯片产业的战略规划和政策支持，同时鼓励企业间的合作与整合，提升整个产业链的竞争力和影响力。
只有这样，才能打破日、美等国的科技垄断，而不是像现在这样，为了买产品白白掏冤枉钱。