賽晶科技：2024年目标營收增長50%，向上拐點正式确立！

近日，賽晶科技釋出2023年業績報告。2023年，公司銷售收入約10.5億元，同比增長15%；毛利率32%，同比增長4個百分點。受此影響，公司盈利水準實作逆勢高增，歸屬母公司淨利潤約3155萬元，同比增長高達31%。在業績說明會上，公司還稱力争實作2024年營收增長50%經營目标。

公司的業績拐點正式确立。在強勁的盈利增長勢頭背後，是公司在特高壓和功率半導體領域的發展發生了飛躍。

直流輸電領域再迎突破

公司為輸配電工程提供陽極飽和電抗器、電力電容器等器件産品，業務主要涉及特高壓直流輸電、柔性直流輸電項目。

電網輸配電業務是公司的基本盤和壓艙石。2023年，電網輸配電業務表現非常亮眼。得益于特高壓項目密集落地，公司的直流輸電領域的銷售收入同比增長43%，達2.5億元。

海通證券的研報認為，特高壓建設在提速，金上-湖北，隴東-山東，哈密-重慶，甯夏-湖南直流特高壓工程已經開工，2024年預計開工5條直流特高壓，2條交流特高壓。國聯證券研究所指出，根據十四五規劃，大陸至少要建設直流特高壓12條，預計總投資在2400億元以上。而面向“十五五”的電網投資計劃也有望陸續出爐。按照十五五規劃，預計年均開工3-4條直流特高壓，行業景氣度将持續。而根據2025年并網的規劃，今明兩年将是行業投資高速增長的階段。作為行業龍頭，公司在過去一年深度受益于特高壓密集開工的紅利，取得相關訂單和傳遞增長；展望未來，這樣高景氣度很高機會将延續，使得實作成長加速跑。

值得一提的是，2024年初，公司的兩款柔直用直流支撐電容器順利通過國家級新産品技術鑒定，為該類産品的批量工程應用做好了準備。

“柔直”指的是柔性直流輸電技術（VSC-HVDC）。該技術是在傳統直流輸電技術基礎上，使用了大功率IGBT替代了晶閘管，并利用脈寬調制技術進行電能的轉換輸送，無功補償能力、無需支撐電源、無換相失敗、靈活的功率控制等方面具有很強的優勢。可以說，柔性直流輸電技術是新一代電力電子技術在輸電領域的應用，是電力電子技術的未來，具備廣闊的發展空間。不過，國海證券研究所指出，在柔性直流輸電技術中，其關鍵的柔直換流閥等關鍵裝置中，電力電子器件對進口産品的依賴性較高，仍存在核心技術受制于人、國産化率偏低等問題，全國産化發展步履緩慢。賽晶科技取得的進步，加快了柔直工程中直流支撐電容器大規模國産替代的步伐，同時也為公司進一步打開柔性直流輸電業務的發展空間奠定基礎。

高端功率半導體國産替代的中堅力量

除了在電力電子技術領域快速成長，公司的自研功率半導體也取得快速突破。2023年，公司在功率半導體的潛力初步兌現，自研功率半導體業務收入8145萬元，同比增長高達105%，實作翻倍！可見，半導體業務已構成公司第二成長曲線，成為新的增長極。

國海證券指出，賽晶科技是業内技術領先并深具影響力的電力電子器件供應商和系統內建商，也是國際領先的創新研發型企業。根據公開消息，賽晶科技旗下擁有三家子公司入選2023年度第一批浙江省專精特新中小企業，能側面說明公司的研發實力獲得官方的認可。

值得關注的是，賽晶科技深耕功率半導體領域多年，近年來在該領域勢如破竹。

從功率半導體的發展軌迹來看，高功率、高頻率（小型化）與低功耗是技術演進的方向。目前，功率器件主要包括功率二極管、雙極性半導體、功率MOSFET和IGBT。其中MOSFET、IGBT 是功率分立器件中比重最大的産品。

2020年，賽晶科技正式釋出IGBT首款産品；次年，公司首條IGBT生産線竣工投産，i20 IGBT晶片和ED封裝IGBT子產品實作量産。2023年，賽晶科技推出1700V IGBT及FRD晶片，ST封裝IGBT子產品、HEEV封裝SiC子產品、EVD封裝IGBT子產品等多款新産品。據悉，SiC子產品是車規級産品。此外，賽晶科技啟動了電壓為1200V和1700V，包含Si IGBT和SiC MOSFET的多個系列晶片和子產品研發，有望于2024年内陸續推出。這意味着公司不僅向更高端的IGBT進發，還正在切入第三代半導體賽道。

按照全球主流技術水準來說，SIC MOSFET、IGBT等高端分立器件是功率器件中較為尖端、技術含量較高的分類。由于此類産品技術門檻更高、工藝複雜性更強，是以大陸整體産業技術水準仍與全球領先水準的仍存在較大差距，是功率半導體國産替代的核心領域。不難看出，公司正向着“國際一流水準的國産功率半導體廠商”的目标快速前行。

賽晶科技半導體産品已順利進入産業化階段，并獲得下遊的認可。2023年，公司實作批量供貨的客戶群體達38家，較去年同期增長36%。“銷售收入的94%都來自進入門檻高、品質要求苛刻的新能源發電、儲能和電動汽車領域。”賽晶科技管理層在業績說明會上表示。

值得一提的是，2023年，賽晶科技除了不斷完善産品布局、提升産品滲透率，還持續擴充産能。在業績說明會上，賽晶科技管理層披露，2024年公司将加快産能擴充，力争完成第三條IGBT子產品和第一條碳化矽子產品封測生産線的建成。生産線建成後，有利于公司進行更高效的内部協同與生産研發，加快新産品及新工藝的快速推出。未來，公司有望加快邁向高端功率半導體大規模産業化的新階段。

2023年業績報告标志着賽晶科技業績拐點的确立。在業績背後，是公司在直接輸電領域和功率半導體領域的持續發展和創新。随着公司逐漸确立起在行業中的上司地位，未來可能實作更加可觀的業績增長。