重磅！根據美國彭博社最新調查，華為和中芯國際送出了自對準四重圖形刻蝕（SAQP）技術專利，也就是多重曝光晶片制造技術，在國家知識産權局也查到了華為最新的這項專利（專利号 CN117751427A），這或許意味着中芯國際不過多久就可以實作 5 納米晶片生産！
自對準四重圖形刻蝕具體什麼意思呢？傳統的晶片制造嚴重依賴複雜且精确的掩膜圖案來蝕刻電路，然而，随着半導體工藝的不斷複雜，面臨的挑戰越發嚴峻，成本也越來越高。
例如，為了生産 2nm 級工藝晶片，ASML 研發了 0.55NA 的新一代 EUV 極紫外光刻機，售價高達約 4 億美元。在外部條件的嚴重限制下，以華為為首的國内半導體企業已無法獲得這些尖端工藝，必須尋找其他途徑，如先進封裝技術和多重曝光技術。
簡言之，多重曝光将晶片電路掩膜圖案的蝕刻分為多個步驟進行，可以利用相對落後的技術和裝置，實作與更先進工藝相似甚至更優的效果，即使用 7nm 裝置制造出 5nm 晶片。#華為晶片##中芯國際##光刻機##華為現在能做7納米5納米晶片嗎?#
