
集微網報道 3月31日,天嶽先進釋出年度業績報告稱,2021年,公司實作營收為4.94億元,同比增長16.25%;歸屬于上市公司股東的淨利潤為8995.15萬元,實作扭虧為盈。
根據 yole 報告統計,2021年天嶽先進在半絕緣碳化矽襯底領域,市場占有率連續三年保持全球前三。同時,公司正加快提升導電型襯底産能建設。
2021 年,天嶽先進募投項目“碳化矽半導體材料項目”在上海臨港正式開工建設,該項目納入國家布局,且被上海市政府列為 2021 年、2022 年上海市重大建設項目。本項目主要用于生産 6 英寸導電型碳化矽襯底材料,滿足下遊電動汽車、新能源并網、智能電網、儲能、開關電源等碳化矽電力電子器件應用領域的廣泛需求。該項目預計 2022 年三季度實作一期項目投産,并計劃于 2026 年達産,達産後将新增碳化矽襯底材料産能約 30 萬片/年。
同時,天嶽先進也将智慧工廠納入實作未來發展戰略的實施路徑。由于碳化矽半導體材料生長溫度高,影響因素多,既是多因多果,又是離散型生産,技術疊代周期相對較長。公司計劃采用 AI 技術、數字孿生技術,打造出數字化工廠,利用公司積累的海量資料,在數字工廠進行工藝技術模拟,将模拟成果在實體工廠進行驗證,實體工廠積累的資料再回報給數字工廠,達到數字工廠、實體工廠關聯,大幅度壓縮技術疊代,極大地提高研發速度。此次公司的募投項目在上海臨港落地,有望成為智慧工廠的試驗田,令公司的碳化矽襯底材料提質增産,成為趕超國際标杆企業的重要抓手,并立志将其打造成國際一流的智慧工廠示範項目。
在技術研發方面,2021 年,天嶽先進持續加大研發投入,研發實力不斷增強,取得了豐碩的研發成果。2021 年,公司研發費用 7,373.61 萬元,占營業收入的 14.93%,研發費用同比增加了 62.05%。依托“項目 B”、“8 英寸寬禁帶碳化矽半導體單晶生長及襯底加工關鍵技術項目”等研發項目,公司在加快研發大尺寸碳化矽襯底以及提升導電型襯底關鍵名額等方面獲得突破性進展。
2021 年,天嶽先進圍繞産能提升、品質提升、降本增效、智能工廠等多方向開展技術創新,并積極進行知識産權保護和商業秘密保護。報告期内,公司及下屬子公司合計新申請發明專利和實用新型專利共 89 項,其中發明專利 37 項,實用新型 52 項,覆寫了粉料制備、晶體生長、長晶裝置、冷卻系統、清洗裝置以及籽晶、襯底、晶體等産品。
截至 2021 年 12 月 31 日,天嶽先進及下屬子公司累計獲得境内發明專利授權 98 項,實用新型專利授權 312 項,獲得日本發明專利 1 項,中國台灣地區發明專利 4 項。保持了公司專利保護規模在同行業的優勢地位,提升産品技術創新能力的同時也持續提升了公司在國内外市場中的競争力。