集微网报道 3月31日，天岳先进发布年度业绩报告称，2021年，公司实现营收为4.94亿元，同比增长16.25%；归属于上市公司股东的净利润为8995.15万元，实现扭亏为盈。
根据 yole 报告统计，2021年天岳先进在半绝缘碳化硅衬底领域，市场占有率连续三年保持全球前三。同时，公司正加快提升导电型衬底产能建设。
2021 年，天岳先进募投项目“碳化硅半导体材料项目”在上海临港正式开工建设，该项目纳入国家布局，且被上海市政府列为 2021 年、2022 年上海市重大建设项目。本项目主要用于生产 6 英寸导电型碳化硅衬底材料，满足下游电动汽车、新能源并网、智能电网、储能、开关电源等碳化硅电力电子器件应用领域的广泛需求。该项目预计 2022 年三季度实现一期项目投产，并计划于 2026 年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约 30 万片/年。
同时，天岳先进也将智慧工厂纳入实现未来发展战略的实施路径。由于碳化硅半导体材料生长温度高，影响因素多，既是多因多果，又是离散型生产，技术迭代周期相对较长。公司计划采用 AI 技术、数字孪生技术，打造出数字化工厂，利用公司积累的海量数据，在数字工厂进行工艺技术模拟，将模拟成果在实体工厂进行验证，实体工厂积累的数据再反馈给数字工厂，达到数字工厂、实体工厂联动，大幅度压缩技术迭代，极大地提高研发速度。此次公司的募投项目在上海临港落地，有望成为智慧工厂的试验田，令公司的碳化硅衬底材料提质增产，成为赶超国际标杆企业的重要抓手，并立志将其打造成国际一流的智慧工厂示范项目。
在技术研发方面，2021 年，天岳先进持续加大研发投入，研发实力不断增强，取得了丰硕的研发成果。2021 年，公司研发费用 7,373.61 万元，占营业收入的 14.93%，研发费用同比增加了 62.05%。依托“项目 B”、“8 英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”等研发项目，公司在加快研发大尺寸碳化硅衬底以及提升导电型衬底关键指标等方面获得突破性进展。
2021 年，天岳先进围绕产能提升、质量提升、降本增效、智能工厂等多方向开展技术创新，并积极进行知识产权保护和商业秘密保护。报告期内，公司及下属子公司合计新申请发明专利和实用新型专利共 89 项，其中发明专利 37 项，实用新型 52 项，覆盖了粉料制备、晶体生长、长晶设备、冷却系统、清洗装置以及籽晶、衬底、晶体等产品。
截至 2021 年 12 月 31 日，天岳先进及下属子公司累计获得境内发明专利授权 98 项，实用新型专利授权 312 项，获得日本发明专利 1 项，中国台湾地区发明专利 4 项。保持了公司专利保护规模在同行业的优势地位，提升产品技术创新能力的同时也持续提升了公司在国内外市场中的竞争力。