導讀：3月2日，TheElec最新爆料稱，華為正準備自行封裝其采購的NAND閃存。
來源：TheElec
晶片大師曾報道HW更新IGBT、晶片封裝等多項技術專利，已有迹象表明，除了已經曝光的輔助駕駛系統、車載攝像頭和車載驅動晶片外，華為正在發力分立器件、晶片封裝等下遊環節。
TheElec援引消息人士爆料稱，華為正計劃直接采購NAND閃存晶圓并自行處理封裝和測試工作，而此前，華為大量用于智能手機等産品的NAND閃存都是直接采購封裝好的成品。
他補充稱，華為正在為晶片封測安裝必要的裝置，最早可能在今年下半年投入使用，而目前大量采購的NAND閃存晶片來自長江存儲。根據Omdia的資料，長江存儲的全球市場佔有率已經從2020年的1%上升至2.5%。
圖：華為申請的封裝專利
若爆料成真，意味着華為正在建設晶片（die，裸晶片）級别的封裝和測試生産線。
根據公開資料和華為的産品線，華為自有的封裝技術已經涉及到PCB和闆卡級，這部分不涉及裸片切割，涉及一定程度的IC基闆技術，比如數字電源等。
整體上，IC封裝和測試屬于晶片制造鍊中技術難度低、人力投入大和增值較小的環節，也是國内企業占據市場（非先進封裝）優勢的領域。同時，國内近年來在NAND和DRAM晶圓廠的投入使廠商自行采購不易受管控的存儲晶圓來實作自行封裝變成了可能。
圖：華為國産化較高的Mate40E
以往華為手機的拆解中，主機闆上沒有國産化的晶片主要是兩大部分：來自高通、Skyworks和Qorvo的射頻部分，來自三星、海力士和美光的存儲部分——NAND和DRAM。
目前來看，長江存儲和合肥長鑫的量産和産品表現使華為在存儲領域有了成熟的備份供應來源，既可以直接采購單晶片/模組，也可以采取自封裝的形式完成替代。
究竟成果如何，讓我們拭目以待。