由上一篇微頭條的分析知道，R2并非多此一舉，而是在消除邊緣的阻尼振蕩中發揮了重要的作用。
有人可能會問，G、S極并接的電容C1是不是多餘的。
實際并非如此，Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。
除此之外，下述情況下，C1能起到另一個非常重要的作用。
對于圖1的電路，在控制信号輸出為低時，G極必須為低電平，這樣Q1才能處于截止狀态。
考慮到會存在一些異常異常，比如：
1)在驅動該MOS管的處理器處于複位狀态時，端口為高阻狀态，從端口流出的漏電流會誤流入到G極，導緻G極的電壓升高，是以并聯R1提供漏流通路，避免G極電壓升高。
2) 從空間來的靜電或者電磁耦合到G極，導緻G極電壓升高。
3) 在D極(漏極)的交流信号通過G、D之間的寄生電容，耦合到G極，導緻G極電壓升高。
可見，考慮到G、D之間的寄生電容，而電容的特性是通交流阻直流。
在Q1處于截止狀态時，如果施加在D極的電壓是交流信号，而該交流信号會通過該寄生電容，串入到Q1的G極，導緻Q1誤導通。
是以，如果接到D極的電壓有進行通斷控制，就需要注意在通斷過程中，D極上突變的電壓含有的交流分量通過寄生電容耦合到G極，使得MOS管導通，造成不可預期的後果。
比如，附圖2的橋式驅動電路，在QA和QD導通的瞬間，QB的D極的電壓從0V突變到了12V，這個突變信号通過寄生電容耦合到G極，使得QB誤導通，此時12V通過QA和QB短路到地，消耗大量的能量，使得該驅動電路的MOS管工作溫度異常升高。
當在G、S極之間并聯一個電容，而且容量大于G、D之間的寄生電容的容量時。
由于電容兩端電壓不能突變，使得耦合到G極的電壓非常低，不足以使得MOS管誤導通。
但是并上電容之間，将使得MOS管的開通和斷開的速度變慢，使得在此期間停留在放大區的時間增大，也會增加MOS管的功耗，但是這大大增加了可靠性，如果選擇合适的電容容量，是完全劃得來的。
