今日熱點
1. 铠俠3D閃存材料遭污染，影響日兩廠生産
2. 日經：PC需求弱，DRAM價格轉跌
3. 三星将在年底推200+層NAND閃存
4. 矽晶圓供應持續吃緊！勝高2026年産能已售罄
5. 東芝公布HDD路線圖，最快2023年推出30TB硬碟
01
铠俠3D閃存材料遭污染，影響日兩廠生産
綜合铠俠官網、美聯社消息，由于用于閃存生産的材料遭污染，铠俠在日本的兩家生産工廠的生産受到了影響，目前正努力恢複正常運作。
铠俠方面表示：自 1 月下旬以來，铠俠在日本四日市的工廠和北上工廠的部分業務受到影響。推測原因是3D閃存BiCS FLASH的特定生産過程中含有雜質的元件。目前，铠俠方面正努力采取措施，争取早日恢複正常運作。铠俠預計，其2D NAND閃存的生産出貨預計不會受到影響，将繼續盡最大努力減少對客戶的影響。
而與铠俠合資制造閃存的西部資料則表示，受影響的閃存高達6.5艾位元組（exabytes）。鑒于生産中斷的嚴重性，預計在不久的将來會看到對 SSD 供應的顯著影響。
西部資料和铠俠并未提出何時可能恢複生産的具體日期。而晶片從矽晶圓到可應用于電子産品的成品，一般要花大約三個月之久，任何中斷仍将在生産重新開機後的幾個月内産生影響。
據悉，四日市廠區有六個工廠，占地69.4萬平方米，有6300名員工。北上廠區由幾家工廠組成，一個新的K2生産設施正在建設中，将增加136,000平方米的生産空間。
資料顯示，2021年，铠俠SSD出貨量按容量占比約8.5%，西部資料占15.4%。此次事件之前，三星在西安的生産也因Covid限制受到沖擊，所有這些最終都可能導緻基于 NAND 的産品短缺。
02
日經：PC需求弱，DRAM價格轉跌
據日經新聞報道，DRAM價格再度轉趨走跌，主因宅經濟需求停歇，來自PC的需求走弱，加上晶片短缺、供應鍊混亂導緻智能手機等産品的生産停滞，造成暫緩采購DRAM的動向擴大。
2022年1月份主流品名額性産品DDR4 8Gb批發價為每個3.1美元左右，較前一個月份下滑3%，容量較小的4Gb産品價格為每個2.5美元，較前一個月份下滑3%，皆為6個月來第五度呈現下跌。
關于今後的價格動向，半導體商社表示「因1-3月為季節性淡季，預估需求不大，是以DRAM價格可能将持續緩和下跌」。
03
三星将在年底推200+層NAND閃存
據韓媒BusinessKorea報道，三星電子計劃2021年底量産176層NAND Flash閃存，但考慮到實際市況，最後決定延後到2022年第一季。但美商存儲大廠美光搶先量産176層NAND Flash閃存，市場人士預測，三星将加速200層以上NAND Flash閃存量産步伐，以奪回美光搶走的技術領先頭銜。
預計三星128層單片存儲再疊96層，共推出224層NAND Flash閃存，與176層産品相較，224層NAND Flash閃存生産效率和資料傳輸速度可提高30%。
目前除了三星積極布局200層以上NAND Flash閃存，其他還有美光和SK海力士也在加速200層以上NAND Flash閃存開發，預計這将是另一個NAND Flash閃存的決戰領域。
04 矽晶圓供應持續吃緊！勝高2026年産能已售罄
據彭博社報道，半導體行業矽晶圓的主要供應商Sumco（勝高）表示，其到2026年的産能已經售罄，這表明矽晶圓的短缺狀況可能在未來幾年都不會緩解。
勝高是為數不多的提供專用矽晶圓的公司之一，該公司在周三公布财報後表示，其未來五年300毫米矽晶圓産能都被訂滿，目前不接受150毫米和200毫米矽晶圓的長期訂單，但未來幾年需求可能會持續超過供應。
勝高表示，盡管需要長期供應的客戶需求強勁，但今年根本無法擴大産量。公司已經盡其所能優化現有生産線，其全套産品（包括200毫米和300毫米矽晶圓）的供需不平衡是一緻的。
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東芝公布HDD路線圖，最快2023年推出30TB硬碟
日前，東芝在日本舉辦了投資者會議，會中東芝電子元件及存儲裝置株式會社總裁兼執行長Hiroyuki Sato公布了東芝下一代硬碟的路線圖。為了滿足激增的市場需求，東芝計劃利用其專有的技術，包括FC-MAMR（磁通控制-微波輔助磁記錄）、MAS-MAMR（微波輔助切換-微波輔助磁記錄）和磁片堆疊技術等，到2023财年之際，推出容量達30TB，甚至更高的硬碟。
根據過往公布的資料，東芝的MAS-MAMR技術将利用微波更大地改變了硬碟媒體的矯頑力，使得軌道更窄，進而提高了面積密度。該技術是由昭和電工、TDK和東芝共同開發的，屬于MAMR技術的一部分。