三星将推出224層閃存：速度提升30％

芯研所2月9日消息，據爆料，三星最快今年底能量産224層堆棧的閃存，性能提升30%。三星的3D閃存V-NAND目前發展到了第七代，最高176層，原本計劃在去年底量産，但因為NAND閃存價格下滑等因素，三星選擇推遲量産，今年Q1季度才會正式量産，導緻技術上稍微落後于美光等公司。

芯研所采編

不過三星在下一代閃存上有望追回來，最快今年底明年初推出第八代V-NAND閃存，堆棧層數首次超過200層，之前傳聞是228層，現在的說法是224層，相當于在128層基礎上再堆棧96層。

消息稱，三星的224層閃存性能也很不錯，資料速度提升了30%，同時生産效率也提高了30%。三星的224層閃存技術難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實作128層閃存的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術，技術挑戰十分嚴峻。

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