三星将推出224层闪存：速度提升30％

芯研所2月9日消息，据爆料，三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存，性能提升30%。三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代，最高176层，原本计划在去年底量产，但因为NAND闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年Q1季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。

芯研所采编

不过三星在下一代闪存上有望追回来，最快今年底明年初推出第八代V-NAND闪存，堆栈层数首次超过200层，之前传闻是228层，现在的说法是224层，相当于在128层基础上再堆栈96层。

消息称，三星的224层闪存性能也很不错，数据速度提升了30%，同时生产效率也提高了30%。三星的224层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司，这次的224层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。

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