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Intel EUV極紫外光刻裝置進廠:沖刺“4nm”工藝

摘要:1月20日消息,位于愛爾蘭萊克斯利普(Leixlip)、投資70億美元的Intel Fab 34晶圓廠迎來重要時刻:一台光刻膠顯影裝置(lithography resist track)緩緩進入工廠,這也是該廠的第一台巨型晶片制造工具。該裝置來自Intel美國俄勒岡州工廠,搭乘飛機越過大西洋,來到了愛爾蘭。

1月20日消息,位于愛爾蘭萊克斯利普(Leixlip)、投資70億美元的Intel Fab 34晶圓廠迎來重要時刻:一台光刻膠顯影裝置(lithography resist track)緩緩進入工廠,這也是該廠的第一台巨型晶片制造工具。該裝置來自Intel美國俄勒岡州工廠,搭乘飛機越過大西洋,來到了愛爾蘭。

Intel EUV極紫外光刻裝置進廠:沖刺“4nm”工藝

這台裝置将與EUV極紫外掃描器搭檔,首先為矽晶圓覆上精密的塗層,然後進入EUV掃描器,進行曝光,接着晶圓回到光刻裝置,再進行一系列的高精密光顯影、清理操作。

一座典型的晶圓廠包含大約1200台先進制造裝置,大部分價值都在百元美元級别。

Intel Fab 34晶圓廠2019年動工建設,計劃2023年正式投産,将會把Intel在愛爾蘭的産能翻一番,并為未來生産Intel 4工藝鋪平道路——嚴格來說是Intel 7nm,但是官方重新命名,認為它可以媲美行業4nm水準。

Intel EUV極紫外光刻裝置進廠:沖刺“4nm”工藝
Intel EUV極紫外光刻裝置進廠:沖刺“4nm”工藝

Alder Lake 12代酷睿、Raptor Lake 13代酷睿都是Intel 7工藝(10nm ESF),Meteor Lake 14代酷睿和代号Granite Rapids的下下代至強都将用上Intel 4工藝。

Intel EUV極紫外光刻裝置進廠:沖刺“4nm”工藝

官方透露,新工藝研發進展順利,晶片測試已經完美通過,SRAM、邏輯單元、模拟單元都符合規範,去年第二季度還早早完成了Meteor Lake計算單元子產品的流片。

Intel現階段正在全球建設、更新晶圓廠,除了愛爾蘭還有美國本土的亞利桑那州、新墨西哥州、俄勒岡州,以及馬來西亞,投資上百億美元,很快還會宣布在歐洲、美國的更多晶圓廠建設計劃。

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編輯:快科技

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