總投資超18億元，國家第三代半導體技術創新中心研發與産業化基地開工

集微網消息，1月4日，國家第三代半導體技術創新中心研發與産業化基地開工建設。項目總投資超18億元，帶動投資預計超50億元，計劃2023年12月底竣工。

圖檔來源：蘇州工業園區釋出

據悉，國家第三代半導體技術創新中心研發與産業化基地項目位于蘇州納米城，首期占地105畝，總建築面積超20萬平方米。該基地由蘇州納米科技發展有限公司建設，首期包括國家第三代半導體技術創新中心，及東微半導體總部、漢天下研發中心和鐳明雷射研發中心總部等部分定建企業，将布局建設支撐第三代半導體創新發展的3萬平方米高标準潔淨廠房和化學品庫、廢水處理站、110千伏電站等配套設施，以及8英寸BAW（體聲波）濾波器及射頻模組生産線，半導體高端雷射研究中心，晶圓與器件性能測試研發工程中心等。

蘇州工業園區消息稱，項目建成後将加速推動第三代半導體材料、裝置，及研發、設計、中試、量産、封裝測試等創新鍊企業集聚發展，輻射集聚50到100家企業，有力支撐第三代半導體關鍵技術攻關和科技成果轉化。（校對/若冰）