将氮化镓器件和控制器封裝在一起，已經成為了電源晶片原廠的優先選擇。通過合封的方式将器件內建在一個封裝内部，符合晶片高內建化的目标，并且降低寄生參數對氮化镓高頻開關的幹擾，同時還能簡化充電器的設計，減少外圍器件的數量，加快充電器的生産。
必易微推出了兩款采用反激拓撲的氮化镓合封晶片KP22064和KP22066，具有極低的待機功耗。高內建度的合封晶片可以減少充電器外圍器件數量，能夠實作高效率，小體積的開關電源設計。
KP22064和KP22066均内置650V氮化镓開關管，其中兩款器件内置的氮化镓開關管導阻不同，支援的功率也不同，KP22064内置365mΩ氮化镓開關管，支援30-45W輸出功率。KP22066内置165mΩ氮化镓開關管，支援45-100W輸出功率。
KP2206X系列合封晶片内部內建650V氮化镓開關管，內建高壓啟動，內建X電容放電和輸入過壓、欠壓保護功能，具有＜30mW的極低待機功耗，采用谷底鎖定模式降低開關損耗。KP2206X具有三檔工作頻率可通過管腳配置，支援140kHz、300kHz、500kHz，支援9-112V供電電壓，适配寬電壓輸出應用。
KP2206X内置峰值電流抖動功能以優化EMI，支援綠色模式和打嗝模式工作，晶片内內建了供電欠壓、過壓保護，內建輸入欠壓、過壓保護，內建輸出過壓保護，逐周期電流限制，過載保護，過流保護，過熱保護，電流取樣電阻開路保護等保護措施。
值得一提的是，KP2206X合封晶片還支援雙繞組為晶片供電，具有兩個供電引腳，可以根據輸出電壓，切換供電繞組抽頭。當輸出電壓範圍寬且輸出電壓較高時，晶片可自動切換成低壓繞組供電，降低晶片損耗。采用必易微專有的DFN8*8封裝，将功率走線和控制走線分離，并采用大面積散熱PAD，有效降低溫升，具有優秀的散熱性能。
圖為必易微KP2206X氮化镓合封晶片的應用電路圖，支援雙繞組供電，支援寬廣的輸出電壓範圍。
充電頭網總結
通過将氮化镓器件封裝到晶片内部，成為合封，明顯簡化了充電器的初級電路。氮化镓開關管和控制器封裝在一個封裝内部，無需PCB走線，将驅動回路大大縮小，減小了寄生參數對高頻開關的影響，簡化設計并提高效率。
必易微推出的兩款氮化镓合封器件，均采用散熱增強的DFN8*8封裝，有效降低熱阻，提升散熱性能。晶片支援三檔工作頻率，滿足不同功率密度的設計。雙繞組供電使晶片支援更寬的輸出電壓範圍，滿足USB PD快充高效率，小體積，低待機功耗的需求。