三星電子和IBM公布半導體設計突破 将能源使用量減少85％

站長之家(ChinaZ.com) 12月16日 消息:IBM和三星電子推出了一種新的半導體設計——采用垂直半導體架構的垂直傳輸場效應半導體 (VTFET)。

兩家公司于12 月15日宣布，與縮放鳍式場效應半導體 (finFET) 相比，新的半導體設計有可能将能源使用量減少85%。三星電子還公布了一項生産 IBM 5納米晶片的計劃，用于伺服器。

VTFET是一種在晶片表面垂直堆疊半導體的技術。從曆史上看，半導體被制造成平放在半導體表面上，電流橫向流過它們。借助 VTFET，IBM 和三星已經成功地實作了垂直于晶片表面建構的半導體，并具有垂直或上下電流。

VTFET 工藝解決了許多性能障礙和限制，以擴充摩爾定律，因為晶片設計人員試圖将更多半導體裝入固定空間。它還影響半導體的接觸點，進而以更少的能量浪費獲得更大的電流。總體而言，與按比例縮放的 finFET 替代方案相比，新設計旨在将性能提高兩倍或将能源使用減少85%。

IBM和三星電子在美國紐約州的奧爾巴尼納米技術研究中心聯合開發了 VTFET 技術。