衆人皆言摩爾定律已死，不過英特爾不這樣認為。在最近的IEEE國際電子裝置會議（IEDM）上，英特爾介紹了他們繼續推動摩爾定律的創新和研究成果。内容主要分為三部分：基本縮放技術、引入“芯”能力、量子計算等前沿研究。
基本縮放技術講述的是在制程微縮進入瓶頸後，持續增加機關晶片面積内半導體數量的方法。其中包括：通過混合鍵合封裝将互聯密度提升10倍以上、通過RibbonFET新型結構将半導體密度提高30%到50%、在晶片制造中引入單層二硫化钼将矽晶片連接配接層間距從15nm縮小至5nm。
引入“芯”能力部分主要介紹了英特爾的兩項創新：利用氮化镓技術提高開關電源效率、引入FeRAM作為eDRAM使用。數位玩家都非常熟悉氮化镓充電頭帶來的技術革命，這次英特爾首次在300mm晶圓上實作了基于GaN的電源開關與基于矽的CMOS內建。
前段時間英特爾第13代酷睿就傳出了內建DLVR數字線性穩壓器的消息，雖然現在還無法确定這部分是否會用上氮化镓，但英特爾将電壓控制子產品重新植入到CPU内的趨勢大體上已經确定。氮化镓技術可以降低供電損耗，提高電源轉換效率。
将FeRAM作為eDRAM也非常有趣。FeRAM鐵電存儲器本身和NAND閃存一樣屬于非易失性存儲，同時FeRAM還具備低延遲、高耐久和支援直接覆寫寫入等特點，使得他可以作為SRAM的一個補充，提供更大緩存容量的同時還具備斷電不丢資料的特殊能力。英特爾會如何利用FeRAM的這些特性還有待後續觀察。
最後的第三部分介紹的是英特爾在量子運算晶片方面的研究進展。
以上這些都屬于相對遠期的内容。在下個月的CES國際消費電子展之前，英特爾還會在12月15日舉辦一場涵蓋CES 2022主題的新聞釋出會，屆時我們應該會了解到更多近期将要釋出的新硬體資訊。