Dram的研发方向，供国内行业做参考。
中频道6月14日凌晨播报。
对3DDRAM的开发方向正浮出水面。据悉目前存储芯片正在以垂直构建Bit Line的结构确定3DDRAM的开发方向。半导体工程专家6月8日表示：3DDRAM研究目前大致分为Bit Line和Word Line两种即Bit Line的方法。
SK海力士和美光正在准备通过。业界新一代开发的原因是DRAM的微细化局限性。SK海力士和美光正在研究的3DDRAM是将DRAM横躺后垂直堆叠的概念存储器半导体。
如果说现有的DRAM是在平面上集成晶体管的结构，那么3DDRAM则在n个层上堆叠晶体管，因此可以分散晶体管，采用这种结构可以扩大晶体管之间的间隙，减少漏电和干扰。另外因不使用EUV设备生产成本也降低。
目前的3DDRAM研究大致分为垂直Bit Line和水平。Word Line连接方式和垂直Word Line和水平Bit Line连接两种方法。Bit Line起到读写的作用，Word Line起到晶体管的开关作用。
·业界认为70%以上的研究是通过垂直建立Bit Line的方法进行的，对于垂直建立Bit Line和水平连接Word Line的方法，其优点是可以降低Bit Line电阻和电容(Parasitic cap)等。SK海力士和美光正在朝着这个方向进行研究。三星电子以垂直竖立Word Line的方法进行了研究。
但最近比起3DDRAM研究更注重4F Square的研究。由于概念相似两家企业的3DDRAM结构非常相似，SK海力士和美光的3DDRAM结构几乎相同，但SK海力士的3DRAM结构不使用GAA(Gate-All-Around)工程。
目前两家企业的3DDRAM研究处于概念阶段，GAA工艺差异导致的性能差异尚不清楚。三星电子正在致力于开发4F Square，而不是3D DRAM。F是指设计规则指DRAM的CELL面积，每当F减少时CELL面积会减少。如果采用4F Square与目前商用化的6FSquare相比，芯片面积可以减少30%左右。
