半導體基礎
本征半導體 和 雜質半導體
雜質半導體 由 P型： 在本正半導體中加入了3價元素 B或 AL 空穴多 自由電子少
N型： 在本證半導體中加入了5價元素 p 或 As（申）；
載流子
溫度對載流子的影響：
PN結 ，漂移電流 擴散電流
漂移運動 ：少數載流子的運動，阻止擴散運動，由内電場産生
**因為飄逸是少子的運動，是以溫度升高 空穴和電子數量都增大 ，少子的濃度增大 是以漂移增大 反向飽和電流增大 正向飽和電壓減小 **
擴散運動：由PN結的多數載流子的濃度差産生
答案為B
二極管
特點：單線導電性
正向特性：死區電壓：增大電壓但不産生電流的電壓範圍 ；開啟電壓：當電壓增加到某個值時 電流急劇增大
反向特性：反向飽和電流：理想二極管反向飽和電流為0，正向死區電壓為零
例題一：
解題步驟：1.半導體是否是理想半導體如果是則電阻為零，導通電壓為零 ；如果是矽等半導體就按數值（0.6v）來
2.判斷二極管正負極： P級位證 N級為負
3.确定二極管兩端電壓 ：假設不管電阻電壓
4.确定二極管狀态：如果P極電壓大于N級則導通；如果N極電壓大于P級則截止
5.判斷U0的電壓值
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例題二：
例題三
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穩壓二極管
當加入正向電壓時，和二極管的正向特性一樣；
反向擊穿區：當加反向電壓時，當電壓增加到某個值時 電壓幾乎不變但電流 變化很大
例題一：
例題二：
解題思路：Dz1導通是以是導通電壓 ，Dz2是反向電壓 是以是穩壓值
例題三：