CC254X片上flash讀寫解析

        如果在開發中，希望個别資料掉電不丢失，那麼有幾種方法可以考慮，一種是通過I2C或者SPI總線外接存儲，比如E2PROM或FLASH，如果資料不大，第二種友善的方法就是操作片上flash了，要想操作片上flash，首先要搞清楚片上flash的存儲結構以及尋址方式。

        例如CC2541F256這個晶片，我們查一下技術手冊，介紹片上flash存儲組織結構的部分，截取如下：

        我們可以梳理如下：

        1.内部flash由page組成，每一個頁有2048-byte；

        2.最小可擦除單元為一個page；

        3.最小可寫入單元為32bit（一個word）；

        4.尋址位址大小為16-bit。

        以上這些涵蓋了我們操作flash時必須的資訊。CC2541F256一共有256KB的片上flash空間，那麼一共有多少page？答案是256/2=128個page。在寫入flash之前，我們通常會先對要寫入的區域進行擦除操作，由于最小可擦除單元為一個page，那麼我們隻需要定義好要擦除的頁即可，例如，我們把一個标志位flag寫入第120個page（這裡注意核對下代碼的大小，不要寫到代碼存儲區即可，尤其是OAD更要特别注意），這時可以直接調用HAL層的HAL_FLASH提供的操作API，HalFlashErase(0x78)。擦除完畢後，我們需要在相應的位址寫入flag的值，那麼如何确定位址？可以通過page進行換算，120*2048為總的byte數，最小可寫入單元大小為32-bit也就是4個byte，也就是說每個位址對應的是4個byte，是以120*2048/4=0xF000即第120頁的首位址。

        讀寫參考代碼如下：

uint8 newValue[10];
      uint8 newChar1[2];
      ......
      HalFlashErase(0x78);
      while( FCTL & 0x80 ); // wait for erase to complete
      HalFlashWrite(0xF000,newValue,1);
      HalFlashRead(0x78,0,newChar1,2);
           

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