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crosslight仿真之(二)simucenter的操作

 這裡談不上基本操作,隻是能盡快完成任務的操作方式。

simucenter主要包含3個界面simucsuprem,simuapsys,simupics3d。

分别對應,工藝仿真編輯,正常光電仿真編輯,雷射仿真編輯

1.共性(傻瓜式的運作停止按鈕和不常用的就不說了)

1.1wizard幫助

已經生成内容的編輯區,堆砌着許多指令,格式如:

xxx yyy=zzz ...

在用顔色修飾的文字,右鍵點選可以看到wizard, 進入wizard 可以看到詳細的用法。

1.2manual幫助

如果wizard說明這還不夠詳細,那可以在工具欄的help裡面,點選general manual,這裡面是未删減的全部說明。

1.3編輯區參數右鍵有個series功能。

這個功能是,對目前項目自動生成一系列參數的大工程。(批量處理)

1.4類似的參數調整系列功能還有工具來右測那個DOE功能。

即設計實驗,跟series異曲同工。

1.3 1.4目前用的人比較少,是以會有一些bug。這個可以跟官網報告,他們屬于小衆行業,不會有人專門維護。如果不去反映,問題就會一直拖下去。類似的公司産品價格都比較高,這一家還算成本效益劃算。這個功能特寫是寫工作報告,會比較常用的。

1.5工具欄上的contact設定

這個是針對電極的,工藝結構輸出時,可以用這個工具标記哪個位置是什麼電極,以供後續電學仿真使用。

當通過layerbuilder建立結構時,因為可以在layer裡直接設定電極位置,是以可以跳過這個工具。

2.三種編輯器的不同使用方式

2.1工藝仿真編輯

2.1.1打開simucsuprem

2.1.2.當3d結構場景時

打開工具欄的maskeditor,編輯每一層掩模闆,以及對應的工藝流程。 3d save and cut之後,會儲存cut字尾的輸入檔案,掩模闆圖形的txt檔案,以及*.msk,zmesh.zst等輸出檔案。

2d場景略過2.1.2。

2.1.3.編輯工藝流程

這一步可以在2d或3d例子随意找一個對應的in檔案,然後修改:

init 指令之前的是結構定義和全局的模型變量設定。

str檔案相關語句:模闆每個str表示工藝流程到這一步後儲存一個結果,如果有些工藝環節運作有問題,以這些中間的str作為重新開機的起點,可以節省不少時間。

具體工藝流程的文法,直接複制例子就可以了,基本的英語水準就可以猜出指令的意義,再不行檢視1.1,1.2的幫助就可以了。

工藝流程結束後就是激活摻雜,儲存輸出成下一步的輸入檔案了(aps)。

這個工具目前的文檔和指令還不是非常同步,遇到使用問題隻能去官網提問了。

2.2正常光電仿真編輯

2.2.1.打開simuapsys界面

2.2.2.建立結構(面向使用者)

  • 如果有csuprem建好的結構可以直接在sol中引用,在例子庫的sol檔案裡搜尋 .aps 關鍵詞,得到的就是對應文法。那編輯layer這一步就可以跳過。需要做的隻是檢查一下是否有電極檔案,沒有的話點選工具欄上的contact按鈕,根據提示編輯就行了。
  • 如果沒有csuprem結構的這一步是點選工具欄的layerbuilder,然後畫圖編輯儲存(這一步自動生成.layer檔案)。

2.2.3.根據結構生成仿真輸入檔案(面向軟體)

這一步隻需要點選工具欄的Gen.Mesh,就可以根據*.layer檔案生成對應的幾何檔案,材料檔案。

對于光學器件,還需要在左邊目錄樹裡,右擊*.mater選擇generate .gain and plot

2.2.4.編輯模型偏壓檔案

這一步根據例子自帶的模闆修改就好,内容是引用2.2.3剛剛編輯好的輸入檔案,然後定義不同的實體模型,最後編輯加電的方式。

2.2.5.運作仿真

這一步點選工具欄的start就可以了,他會生成std輸出結果。

2.2.6.檢視結果

有2種方式

  • 一種方式是點選工具欄的plt按鈕(直接輸出各種曲線或分布)這一步需要編輯腳本檔案,同樣可以參考例子的模闆。
  • 一種較為宏觀的檢視方式。直接點選左側輸出目錄的std檔案,然後右側選擇自己要看的東西就好了。

2.3雷射仿真編輯器

2.3.1.打開simupics3d界面

2.3.2~2.3.3 跟2.2.2~2.2.3 相同,略過

2.3.4 編輯模型偏壓檔案

這一部分的前半部分跟apsys相同,隻是後面多了begin_zsol ,end_zsol 之間的部分

在2.3.3點選gen.Mesh時會生成*.vcsel。這部分是描述諧振腔用的。

2.3.5.運作仿真

  • rtd檔案的5列内容分别對應波長,rt增益,損耗,左,右rt增益
  • stw檔案的6列分别對應 位置坐标,駐波相對強度,量子阱存在标記,駐波強度,折射率,吸收

2.3.6 跟2.2.6 相同,略過

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