集微網消息，4月21日晚間，東微半導披露2021年年度報告，報告期公司實作營收7.82億元，同比增長153.28%;歸母淨利潤1.47億元，同比增長430.66%;扣非淨利潤1.41億元，同比增長588.67%;基本每股收益2.91元。拟向全體股東每10股派發現金紅利3.3元(含稅)。
東微半導稱，2021年度公司營業收入相較上年同期增長153.28%，主要系2021年度公司所在的半導體功率器件領域景氣度持續向好，下遊需求旺盛，同時，公司通過不斷深化與上下遊優秀合作夥伴的合作，持續擴大産能，并不斷研發出更為優秀的産品與技術。
公司主營産品廣泛應用于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源車車載充電機、資料中心伺服器電源、快速充電器等領域。報告期内，公司業績的持續增長主要系受前述應用領域需求增長、産能持續擴大、新産品不斷推出及産品組合結構進一步優化等因素影響。
據悉，2021年度東微半導毛利率較去年同比上漲10.87個百分點。
東微半導表示，憑借公司在高性能功率器件領域優異的技術實力、産品性能和一流的客戶基礎，緊抓國産替代的曆史機遇，繼續深耕以新能源汽車直流充電樁、車載充電機、5G基站電源及通信電源、光伏逆變及儲能、資料中心伺服器電源和工業照明電源等為代表的工業級與汽車級應用領域，長期與上述領域頭部廠商保持穩定、持續的戰略合作關系。同時，公司大力開發以Tri-gate IGBT為代表的新型功率器件産品，迅速擴大新型産品在公司業務版圖的比重，并憑借優異的産品性能進入高性能儲能、光伏逆變器、直流充電樁等高效率電能轉換系統應用，在多個重點領域實作出貨。
同時，公司主營業務收入在各産品系列均實作穩步增長：（1）公司高壓超級結MOSFET産品全年實作營業收入56,856.56萬元，較2020年同期增長128.27%；（2）公司中低壓屏蔽栅MOSFET産品全年實作營業收入20,569.47萬元，較2020年同期增長246.85%；（3）公司超級矽MOSFET産品全年實作營業收入214.99萬元，較2020年同期增長432.63%；（4）報告期内，公司Tri-gate IGBT産品首次量産出貨，全年實作營業收入568.17萬元。2022年，東微半導主營産品将持續批量出貨并新增多個新産品送測認證，這将對公司主營産品銷售增長提供持續推動力。
随着下遊需求持續擴張以及上遊原材料供應緊張對全球晶圓代工行業産能帶來的負面影響，晶圓代工行業普遍出現産能緊張的情況，進一步導緻了晶圓價格的增長。報告期内，公司與上遊晶圓制造企業華虹半導體、粵芯半導體及DB Hitek等廠商繼續保持穩定的業務和技術合作關系，保障公司的新産品研發有序推進以及供應産能穩步增長。公司持續關注并協助開發适合于晶圓合作夥伴的創新工藝流程，根據合作夥伴的制造能力進行深度定制化開發适配的工藝及産品，持續保持雙方技術能力的互相促進和共同提升。
東微半導表示，一直以來，公司深耕新能源汽車直流充電樁、光伏逆變與儲能、新能源汽車車載充電機、5G基站電源及通信電源、資料中心伺服器電源和工業照明電源等領域，通過功率器件底層技術創新，開發出一系列性能優越的高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽栅MOSFET及Tri-gate IGBT産品。
2022年，公司将持續進行技術創新，将上述的功率器件性能進一步優化，繼續擴大各個産品系列的市場佔有率。同時，結合目前緊迫的“雙碳”目标，抓住新能源相關的市場機遇，大力發展适合新能源車應用的大功率車規級晶片，加速推廣新型Tri-gate IGBT在新能源領域中的應用。具體計劃如下：
1、繼續深耕新能源汽車直流充電樁、光伏逆變與儲能、新能源汽車車載充電機、5G基站電源及通信電源、資料中心伺服器電源和工業照明電源等領域，實作市場的均衡化與多元化；持續開發更多新技術，以産品性能為第一競争力，迅速提升超級結MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的銷售額，實作産品的多元化。
2、持續擴大各類功率器件的産能，加快8寸功率器件技術向12寸線上的轉移，擴充12寸超級結MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的産品規格與系列，擴大市場占有率。
3、将重點圍繞新能源汽車應用，開發更多高可靠性的車規級高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽栅MOSFET及Tri-gate IGBT晶片，提升在車載充電機、車載電機等應用中的市場佔有率。
4、繼續開發新一代超級結晶片，降低晶片的比導通電阻，提升晶片的電流密度和功率密度，使之更适合于未來更大功率與更高效率的高壓直流充電樁、伺服器、光伏逆變器等電源系統。
5、持續開發新一代中低壓屏蔽栅MOSFET的功率器件技術。進一步提升屏蔽栅MOSFET的開關速度和魯棒性，瞄準資料中心伺服器、通信電源、車載應用等高端領域，提升在上述高端應用領域中的市場滲透率。
6、積極推進650V及1200V TGBT的技術更新，在第一代TGBT穩定量産的同時研發第二代TGBT，實作對市場上主流的第四代至第七代傳統IGBT技術的大量替代。基于第一代與第二代TGBT的技術優勢，迅速擴大産能，提升公司IGBT産品的銷售額與銷售額占比，優化公司的産品組合結構，進一步實作公司産品的多元化。
7、加大寬禁帶半導體功率器件與超級矽功率器件的研發力度，形成一系列寬禁帶半導體功率器件産品，使寬禁帶半導體功率器件産品與矽基超級矽器件互為補充，實作更強的市場競争力。（校對/李正操)