集微网消息，4月21日晚间，东微半导披露2021年年度报告，报告期公司实现营收7.82亿元，同比增长153.28%;归母净利润1.47亿元，同比增长430.66%;扣非净利润1.41亿元，同比增长588.67%;基本每股收益2.91元。拟向全体股东每10股派发现金红利3.3元(含税)。
东微半导称，2021年度公司营业收入相较上年同期增长153.28%，主要系2021年度公司所在的半导体功率器件领域景气度持续向好，下游需求旺盛，同时，公司通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能，并不断研发出更为优秀的产品与技术。
公司主营产品广泛应用于新能源汽车充电桩、通信电源、光伏逆变器、新能源车车载充电机、数据中心服务器电源、快速充电器等领域。报告期内，公司业绩的持续增长主要系受前述应用领域需求增长、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等因素影响。
据悉，2021年度东微半导毛利率较去年同比上涨10.87个百分点。
东微半导表示，凭借公司在高性能功率器件领域优异的技术实力、产品性能和一流的客户基础，紧抓国产替代的历史机遇，继续深耕以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、光伏逆变及储能、数据中心服务器电源和工业照明电源等为代表的工业级与汽车级应用领域，长期与上述领域头部厂商保持稳定、持续的战略合作关系。同时，公司大力开发以Tri-gate IGBT为代表的新型功率器件产品，迅速扩大新型产品在公司业务版图的比重，并凭借优异的产品性能进入高性能储能、光伏逆变器、直流充电桩等高效率电能转换系统应用，在多个重点领域实现出货。
同时，公司主营业务收入在各产品系列均实现稳步增长：（1）公司高压超级结MOSFET产品全年实现营业收入56,856.56万元，较2020年同期增长128.27%；（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品全年实现营业收入20,569.47万元，较2020年同期增长246.85%；（3）公司超级硅MOSFET产品全年实现营业收入214.99万元，较2020年同期增长432.63%；（4）报告期内，公司Tri-gate IGBT产品首次量产出货，全年实现营业收入568.17万元。2022年，东微半导主营产品将持续批量出货并新增多个新产品送测认证，这将对公司主营产品销售增长提供持续推动力。
随着下游需求持续扩张以及上游原材料供应紧张对全球晶圆代工行业产能带来的负面影响，晶圆代工行业普遍出现产能紧张的情况，进一步导致了晶圆价格的增长。报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DB Hitek等厂商继续保持稳定的业务和技术合作关系，保障公司的新产品研发有序推进以及供应产能稳步增长。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合作伙伴的创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术能力的相互促进和共同提升。
东微半导表示，一直以来，公司深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，通过功率器件底层技术创新，开发出一系列性能优越的高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及Tri-gate IGBT产品。
2022年，公司将持续进行技术创新，将上述的功率器件性能进一步优化，继续扩大各个产品系列的市场份额。同时，结合当前紧迫的“双碳”目标，抓住新能源相关的市场机遇，大力发展适合新能源车应用的大功率车规级芯片，加速推广新型Tri-gate IGBT在新能源领域中的应用。具体计划如下：
1、继续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等领域，实现市场的均衡化与多元化；持续开发更多新技术，以产品性能为第一竞争力，迅速提升超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的销售额，实现产品的多元化。
2、持续扩大各类功率器件的产能，加快8寸功率器件技术向12寸线上的转移，扩充12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的产品规格与系列，扩大市场占有率。
3、将重点围绕新能源汽车应用，开发更多高可靠性的车规级高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及Tri-gate IGBT芯片，提升在车载充电机、车载电机等应用中的市场份额。
4、继续开发新一代超级结芯片，降低芯片的比导通电阻，提升芯片的电流密度和功率密度，使之更适合于未来更大功率与更高效率的高压直流充电桩、服务器、光伏逆变器等电源系统。
5、持续开发新一代中低压屏蔽栅MOSFET的功率器件技术。进一步提升屏蔽栅MOSFET的开关速度和鲁棒性，瞄准数据中心服务器、通信电源、车载应用等高端领域，提升在上述高端应用领域中的市场渗透率。
6、积极推进650V及1200V TGBT的技术升级，在第一代TGBT稳定量产的同时研发第二代TGBT，实现对市场上主流的第四代至第七代传统IGBT技术的大量替代。基于第一代与第二代TGBT的技术优势，迅速扩大产能，提升公司IGBT产品的销售额与销售额占比，优化公司的产品组合结构，进一步实现公司产品的多元化。
7、加大宽禁带半导体功率器件与超级硅功率器件的研发力度，形成一系列宽禁带半导体功率器件产品，使宽禁带半导体功率器件产品与硅基超级硅器件互为补充，实现更强的市场竞争力。（校对/李正操)