【嘉勤點評】辰顯光電發明的搭載微LED晶片的顯示面闆及其制備方案，通過在遠離LED基闆的一側設定顔色轉換層來實作顔色的轉換，并将基闆和TFT背闆對位貼合，來提高高溫環境下材料綁定的穩定性。
集微網消息，Micro-LED（微發光二極管，微LED）是一種新一代的顯示技術，相比于現有的OLED技術，這種微LED顯示器的亮度更高、發光效率更好，且功耗更低，非常适合應用在高端電子數位産品中。
在目前的傳統技術中，微LED顯示面闆通常使用微LED晶片發出出射光，再對出射光進行顔色轉換得到三色光。但這種傳統技術在實際的實作過程中的顯示效果較差，無法發揮出其優秀的功能特性。
是以，辰顯光電在2020年5月14日申請了一項名為“顯示面闆及其制備方法”的發明專利（申請号：202010409811.2），申請人為成都辰顯光電有限公司。
在該專利中，發明一種新型的微LED顯示面闆的制備方案，可以有效完成特定顔色的轉換。根據該方案目前公開的相關資料，讓我們一起來看看這項發明專利吧。
如上圖，為該專利中發明的顯示面闆的制備方法工藝流程示意圖，這種顯示面闆的制備選取LED基闆作為底闆，該基闆包括背闆110和LED晶片120，LED晶片間隔設定于TFT背闆上，而LED晶片則正是微LED晶片，其在TFT電路的驅動下可以發光，通常尺寸在數微米至數十微米之間。
首先，在生長襯底上生長出LED晶片後，先将LED晶片粘附于臨時基闆上，再通過雷射剝離等方法移除生長襯底，進而在臨時基闆上形成分立的LED晶片陣列。然後通過轉印頭拾取LED晶片，移動至TFT背闆上，并采用加熱焊接等方式固化LED晶片與TFT背闆之間的連接配接。
其次，在透明的第一基闆130上形成反射層140和第一阻擋層150，第一阻擋層上設定有許多個第一收納腔。當LED晶片發出藍光時，該反射層可以選擇性的透過藍光，即該反射層僅可以使藍光透射，而反射其它顔色的光。
最後，将第一基闆與LED基闆進行貼合，使第一阻擋層設定于TFT背闆和第一基闆之間，LED晶片分别設定于第一收納腔中，且LED晶片在第一基闆上的正投影與反射層在第一基闆上的正投影交疊，使得在第一基闆遠離LED基闆的一側形成顔色轉換層，進而實作對藍光顔色的轉換。
上圖中，展示了這種顯示面闆的剖面結構示意圖，可以較為清楚地看到，該顯示面闆包括LED基闆100、第一基闆130、第一阻擋層150和反射層140。在第一基闆上設定有第一表面132，其靠近TFT背闆，在第一表面上有反射層，該反射層即是分布式布拉格反射層，其包括許多個反射器142，這些反射器收納在第一收納腔中。由此，通過基闆和TFT的背闆貼合，來提升反射層膜厚度的均勻性，防止制備第一阻擋層時高溫影響TFT背闆的穩定性。
以上就是辰顯光電發明的搭載微LED晶片的顯示面闆及其制備方案，該方案擺脫了傳統技術中需要對微LED晶片的出射光進行顔色轉換的步驟，通過在遠離LED基闆的一側設定顔色轉換層來實作顔色的轉換，并将基闆和TFT背闆對位貼合，來提高高溫下的材料綁定穩定性，進而有效提高顯示面闆的顯示效果。