摘要：根據外媒報導，在美國加州舊金山舉辦的IEDM 2021 當中，IBM與三星共同推出了名為垂直傳輸場效應半導體(VTFET) 技術。該技術将半導體以垂直方式堆疊，并且讓電流也改以垂直方式進行流通，如此可使得半導體數量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，并且突破目前在1nm制程設計上所面臨的瓶頸。
根據外媒報導，在美國加州舊金山舉辦的IEDM 2021 當中，IBM與三星共同推出了名為垂直傳輸場效應半導體(VTFET) 技術。該技術将半導體以垂直方式堆疊，并且讓電流也改以垂直方式進行流通，如此可使得半導體數量密度再次提高之外，更大幅提高電源使用效率，并且突破目前在1nm制程設計上所面臨的瓶頸。
報導強調，相較傳統将半導體以水準方式放置的設計，垂直傳輸場效應半導體将能增加半導體數量堆疊密度，并且讓運算速度提升兩倍，同時藉由讓電流以垂直方式流通，使得電力損耗在相同的性能發揮情況下，降低85%的幅度。
IBM 和三星指出，該制程技術将能在未來達到手機在一次充電的情況下，待機續航力達到一整個星期的水準。另外，這也可以使某些耗能密集型的工作，例如加密工作能更加省電，進一步減少對環境的影響。
不過，目前IBM 與三星尚未透露預計何時開始将垂直傳輸場效應半導體設計應用在實際産品。但是市場人士預估，将在很短的時間内會有進一步消息。
相對于IBM 與三星的技術成果發表，晶圓代工龍頭台積電也已經在2021 年5 月宣布，與台灣大學、麻省理工學院共同完成研究，藉由铋金屬的特性來突破1nm制程生産的極限，讓制程技術下探至1nm以下。
另外，英特爾日前也已經公布其未來制程技術發展布局，除了現有納米等級制程節點設計之外，接下來也會開始布局埃米等級制程技術發展，預計最快會在2024 年進入20A 制程技術節點。
來源：technews
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