5月11日，昕感科技官方公衆号宣布昕感科技完成京能集團旗下北京京能能源科技并購投資基金戰略入股。
而在此之前的5月7日，昕感科技釋出一款相容15V栅壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET産品N2M120013PP0，導通電阻在15V栅壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。
推出相容15V栅壓驅動的低導通電阻SiC MOSFET新産品，标志着昕感科技在大電流低導通電阻産品和技術研發方面取得新的突破，進一步加速推動新能源領域中功率器件的國産化程序。
■ N2M120013PP0産品導通特性及阻斷特性
昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET産品推薦使用-3/+15V驅動栅壓，滿足IGBT應用電路中的+15V驅動要求，便于電力電子系統更新換代。同時，降低栅極電壓可以緩解栅極電應力，提升器件的可靠性。
■ N2M120013PP0産品門檻值電壓-溫度曲線
昕感科技通過器件結構的綜合優化設計，實作15V栅壓驅動和高門檻值電壓的雙重突破。新産品在25℃室溫下門檻值電壓可達3.3V，在175℃高溫下仍可達2.4V。高門檻值電壓特性能夠有效降低應用中的誤開啟機率，避免應用端器件和系統失效。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平台上完成數十款SiC器件和子產品産品量産，部分産品已認證AEC-Q101車規級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET産品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規格，子產品産品對标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。
昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率子產品的技術突破創新和産品研發生産，緻力于成為國内領先和具有國際影響力的功率半導體變革引領者。
來源：昕感科技
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