晶片大廠，開始新一輪擴産

半導體産業正在逐漸走出本輪低谷。随着行情回暖，晶片大廠開始為下一輪上行周期做準備，推進擴産。

與此同時，全球半導體産業鍊的重構正在進行中，在各國政府的大手筆補貼下，晶片大廠紛紛開啟新一輪建廠，加大布局搶占市場。

本文為大家盤點近期大廠的擴産、建廠計劃，并總結這些擴産主要集中在哪些地方、針對哪些需求。

01

存儲廠商，恢複産能

在需求緩慢恢複以及價格觸動反彈的推動下，三大存儲原廠最新一季的财報都傳來喜訊。

其中，4月5日，三星電子公布的盈利指引顯示，一季度營收升至約71萬億韓元，同比增長11%；營業利潤約為6.6萬億韓元，同比暴增931%，為三星電子自2022年第三季以來的最高營業利潤。

圖源：路透社

美光結束了連續五個季度的虧損。美光截止2024年2月29日的第二季度财報顯示，受益于DRAM和NAND Flash需求及價格同步上升，該季營收58.2億美元，同比大漲58%，環比增長23%；淨利潤為7.93億美元，實作扭虧為盈。

SK海力士則在更早的2023年四季度率先實作業績回暖。财報顯示，SK海力士2023年第四季度營收同比增長47.4%，至11.3萬億韓元，超過了分析師的最高預期；營業利潤為3460億韓元，結束了自2022年第四季度以來持續的營業虧損。

業績回暖之際，存儲原廠也逐漸恢複産能供給。此外，在AI浪潮的推動下，積極推動HBM擴産。

三星電子

據報道，三星電子今年一季度在南韓平澤和中國西安NAND Flash閃存生産線的晶圓投片量，相較上一季将提升約30%。不過，三星方面對進一步的增産仍然保持謹慎态度，希望避免影響到NAND Flash的價格漲勢。

在DRAM方面，據市場研究機構Omdia的報告，三星電子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圓投入量調升至60萬片，環比增長13%；預計下半年将DRAM晶圓投入量增加至66萬片，DRAM産量恢複到削減前的水準。

HBM擴産超于預期。三星電子高管在“Memcon 2024”全球半導體大會上表示，預計三星今年的HBM晶片産量将比去年增加2.9倍，高于年初預測的2.4倍。

SK海力士

SK海力士的DRAM投片量也在逐漸恢複。Omdia表示，SK海力士将把每月平均DRAM晶圓投入量從第一季度的39萬片增加到第二季度的41萬片；下半年預計該公司的DRAM晶圓投入量将增加至45萬片。

在AI浪潮的帶動下，高性能存儲器需求猛漲。作為HBM技術的領先者，SK海力士也在加碼高性能存儲器的投資。4月4日，SK海力士宣布，計劃投資38.7億美元在美國印第安納州西拉斐特建造存儲器先進封裝生産基地，該基地預計在2028年下半年開始量産新一代HBM等适于AI的存儲器産品。

铠俠/西部資料

據TrendForce集邦咨詢研究，今年三月起铠俠/西部資料率先将産能使用率恢複至近九成。此舉有望帶動2024年NAND Flash産業供應位元年增率達10.9%。

半導體産業是典型的周期性行業，大概每3~5年經曆一次相對大的起伏和下滑。多家行業協會和市場分析機構認為，2024年全球半導體市場将迎周期性回暖。

其中，SIA預測稱，2024年全球半導體産業銷售額将增長13.1%。市場機構IDC則預計，半導體市場将在2024年回歸增長趨勢，年增長率将在20%以上，市場規模達6302億美元，其中存儲市場增長将最為強勁。

是以，存儲原廠目前的增産舉動，可以了解是為即将到來的上行周期做準備。除了存儲器，其他半導體細分領域也陸續有擴産的消息傳來。比如，近日瑞薩電子正式重新開機富士山附近一家已休眠九年多的工廠，以滿足電動汽車和資料中心所用功率半導體不斷增長的需求，預計該廠從明年開始将使瑞薩電子的功率半導體産量翻一番。

02

晶片大廠，在美國瘋狂建廠

除了行業回暖，這一輪擴産潮/建廠潮的另一個有力推手是政府補貼。受地緣政治影響，半導體産業的“逆全球化”加劇。

本地化生産成為各國政府半導體政策的重要推進方向。目前，美國、日本、歐洲、印度等國家和地區都在釋放優惠政策吸引晶片巨頭投資。

其中，在美國《晶片法案》527億美元補貼的推動下，晶片大廠紛紛擴大在美國的布局。

格芯

2月19日，美國商務部宣布，将提供約15億美元的資金用以支援格芯建立最先進的設施、大幅産能擴張以及對工廠進行現代化改造，以增強美國在目前一代和成熟節點半導體生産方面的競争力。

格芯将使用這15億美元來支援三個半導體項目，分别是：在紐約州馬耳他建立最先進的12英寸晶圓廠，該廠預計将生産美國目前尚不具備的高價值技術；擴建紐約馬耳他現有制造工廠；振興佛蒙特州伯靈頓的現有制造工廠，使其成為成為美國第一家能夠大量生産下一代GaN矽晶片的工廠，該晶片廣泛應用于電動車、電網和智能手機中。

英特爾

根據美國商務部3月20日的新聞稿，英特爾獲得的85億美元資金補助将用于支援其在美國四個州的多個半導體項目建設。此外，未來五年，英特爾預計在這四個州的投資超過1000億美元。

一系列建廠或者改造計劃包括：在亞利桑那州錢德勒市建設兩座新的尖端邏輯工廠并對一座現有工廠進行現代化改造以顯著提高尖端邏輯産能；在新墨西哥州裡奧蘭喬市将兩家工廠改造成先進封裝廠；在俄亥俄州新奧爾巴尼市建設兩座領先的邏輯工廠等。

台積電

美國商務部4月8日宣布，66億美元資金補貼将用以支援台積電在亞利桑那州三座晶圓廠的建設，其中一座為新工廠。而台積電在亞利桑那州的投資将增加到650億美元。

三座工廠中，晶圓一廠有望于2025年上半年開始采用4nm FinFET工藝生産；晶圓二廠除了之前宣布的3nm技術外，還将采用2nm工藝技術。計劃建立設的晶圓三廠将根據客戶需求生産2nm或更先進的工藝技術的晶片。三座工廠将滿足5G/6G 智能手機、自動駕駛汽車和人工智能資料中心伺服器等領域的産品需求。

三星電子

據美國商務部4月15日釋出的聲明，64億美元資助将用以擴大三星在德克薩斯州的晶片生産。

在這個基礎上，三星還将追加超過400億美元的投資用以擴建現有的德克薩斯州奧斯汀工廠，擴大FD-SOI（全耗盡型絕緣體上矽）工藝産能。此外，三星還将在德克薩斯州泰勒市建構全面的先進制造生态系統，包括将建設兩家4nm和2nm晶圓代工廠、一座研發基地，以及一家生産3D HBM記憶體和進行2.5D封裝的先進封裝工廠。

美國商務部表示，得益于三星電子、台積電亞利桑那州等投資，到2030年，美國有望生産全球約20%的尖端晶片。

資料顯示，美國在全球半導體制造能力中所占的份額從1990年的37%下降到2020年的12%。是以，2022年《晶片法案》出台以來，美國就一直在積極推進先進晶片制造回流到美國。

從527億美元的補貼方向來看，美國希望加強兩方面的晶片生産能力，一方面是用于人工智能領域的先進邏輯晶片、高帶寬存儲晶片及對應的先進封裝工藝；另一方面是成熟的晶圓代工能力，其主要支援汽車和國防工業的晶片生産。

不過，需要注意的是，上述晶片大廠與美國商務部簽署的是不具限制力的初步條款備忘錄 (PMT)。最終條款可能與PMT的不同。