芯片大厂，开始新一轮扩产

半导体产业正在逐步走出本轮低谷。随着行情回暖，芯片大厂开始为下一轮上行周期做准备，推进扩产。

与此同时，全球半导体产业链的重构正在进行中，在各国政府的大手笔补贴下，芯片大厂纷纷开启新一轮建厂，加大布局抢占市场。

本文为大家盘点近期大厂的扩产、建厂计划，并总结这些扩产主要集中在哪些地方、针对哪些需求。

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存储厂商，恢复产能

在需求缓慢恢复以及价格触动反弹的推动下，三大存储原厂最新一季的财报都传来喜讯。

其中，4月5日，三星电子公布的盈利指引显示，一季度营收升至约71万亿韩元，同比增长11%；营业利润约为6.6万亿韩元，同比暴增931%，为三星电子自2022年第三季以来的最高营业利润。

图源：路透社

美光结束了连续五个季度的亏损。美光截止2024年2月29日的第二季度财报显示，受益于DRAM和NAND Flash需求及价格同步上升，该季营收58.2亿美元，同比大涨58%，环比增长23%；净利润为7.93亿美元，实现扭亏为盈。

SK海力士则在更早的2023年四季度率先实现业绩回暖。财报显示，SK海力士2023年第四季度营收同比增长47.4%，至11.3万亿韩元，超过了分析师的最高预期；营业利润为3460亿韩元，结束了自2022年第四季度以来持续的营业亏损。

业绩回暖之际，存储原厂也逐渐恢复产能供给。此外，在AI浪潮的推动下，积极推动HBM扩产。

三星电子

据报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升约30%。不过，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。

在DRAM方面，据市场研究机构Omdia的报告，三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片，环比增长13%；预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片，DRAM产量恢复到削减前的水平。

HBM扩产超于预期。三星电子高管在“Memcon 2024”全球半导体大会上表示，预计三星今年的HBM芯片产量将比去年增加2.9倍，高于年初预测的2.4倍。

SK海力士

SK海力士的DRAM投片量也在逐步恢复。Omdia表示，SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片；下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。

在AI浪潮的带动下，高性能存储器需求猛涨。作为HBM技术的领先者，SK海力士也在加码高性能存储器的投资。4月4日，SK海力士宣布，计划投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉斐特建造存储器先进封装生产基地，该基地预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于AI的存储器产品。

铠侠/西部数据

据TrendForce集邦咨询研究，今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成。此举有望带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%。

半导体产业是典型的周期性行业，大概每3~5年经历一次相对大的起伏和下滑。多家行业协会和市场分析机构认为，2024年全球半导体市场将迎周期性回暖。

其中，SIA预测称，2024年全球半导体产业销售额将增长13.1%。市场机构IDC则预计，半导体市场将在2024年回归增长趋势，年增长率将在20%以上，市场规模达6302亿美元，其中存储市场增长将最为强劲。

因此，存储原厂目前的增产举动，可以理解是为即将到来的上行周期做准备。除了存储器，其他半导体细分领域也陆续有扩产的消息传来。比如，近日瑞萨电子正式重启富士山附近一家已休眠九年多的工厂，以满足电动汽车和数据中心所用功率半导体不断增长的需求，预计该厂从明年开始将使瑞萨电子的功率半导体产量翻一番。

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芯片大厂，在美国疯狂建厂

除了行业回暖，这一轮扩产潮/建厂潮的另一个有力推手是政府补贴。受地缘政治影响，半导体产业的“逆全球化”加剧。

本地化生产成为各国政府半导体政策的重要推进方向。目前，美国、日本、欧洲、印度等国家和地区都在释放优惠政策吸引芯片巨头投资。

其中，在美国《芯片法案》527亿美元补贴的推动下，芯片大厂纷纷扩大在美国的布局。

格芯

2月19日，美国商务部宣布，将提供约15亿美元的资金用以支持格芯新建最先进的设施、大幅产能扩张以及对工厂进行现代化改造，以增强美国在当前一代和成熟节点半导体生产方面的竞争力。

格芯将使用这15亿美元来支持三个半导体项目，分别是：在纽约州马耳他新建最先进的12英寸晶圆厂，该厂预计将生产美国目前尚不具备的高价值技术；扩建纽约马耳他现有制造工厂；振兴佛蒙特州伯灵顿的现有制造工厂，使其成为成为美国第一家能够大量生产下一代GaN硅芯片的工厂，该芯片广泛应用于电动车、电网和智能手机中。

英特尔

根据美国商务部3月20日的新闻稿，英特尔获得的85亿美元资金补助将用于支持其在美国四个州的多个半导体项目建设。此外，未来五年，英特尔预计在这四个州的投资超过1000亿美元。

一系列建厂或者改造计划包括：在亚利桑那州钱德勒市建设两座新的尖端逻辑工厂并对一座现有工厂进行现代化改造以显著提高尖端逻辑产能；在新墨西哥州里奥兰乔市将两家工厂改造成先进封装厂；在俄亥俄州新奥尔巴尼市建设两座领先的逻辑工厂等。

台积电

美国商务部4月8日宣布，66亿美元资金补贴将用以支持台积电在亚利桑那州三座晶圆厂的建设，其中一座为新工厂。而台积电在亚利桑那州的投资将增加到650亿美元。

三座工厂中，晶圆一厂有望于2025年上半年开始采用4nm FinFET工艺生产；晶圆二厂除了之前宣布的3nm技术外，还将采用2nm工艺技术。计划新建设的晶圆三厂将根据客户需求生产2nm或更先进的工艺技术的芯片。三座工厂将满足5G/6G 智能手机、自动驾驶汽车和人工智能数据中心服务器等领域的产品需求。

三星电子

据美国商务部4月15日发布的声明，64亿美元资助将用以扩大三星在德克萨斯州的芯片生产。

在这个基础上，三星还将追加超过400亿美元的投资用以扩建现有的德克萨斯州奥斯汀工厂，扩大FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。此外，三星还将在德克萨斯州泰勒市构建全面的先进制造生态系统，包括将建设两家4nm和2nm晶圆代工厂、一座研发基地，以及一家生产3D HBM内存和进行2.5D封装的先进封装工厂。

美国商务部表示，得益于三星电子、台积电亚利桑那州等投资，到2030年，美国有望生产全球约20%的尖端芯片。

数据显示，美国在全球半导体制造能力中所占的份额从1990年的37%下降到2020年的12%。因此，2022年《芯片法案》出台以来，美国就一直在积极推进先进芯片制造回流到美国。

从527亿美元的补贴方向来看，美国希望加强两方面的芯片生产能力，一方面是用于人工智能领域的先进逻辑芯片、高带宽存储芯片及对应的先进封装工艺；另一方面是成熟的晶圆代工能力，其主要支持汽车和国防工业的芯片生产。

不过，需要注意的是，上述芯片大厂与美国商务部签署的是不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)。最终条款可能与PMT的不同。