#清明節遊玩日記#
從研發支出上來看，北方華創和中微的研發投入的絕對值遠不及全球龍頭廠商，但從占比來看，中微半導體的研發投入占營收比重最高，但高研發的背後，存在的問題是，研發資本化比例非常高，假如扣除資本化支出後，淨利潤可就虧了。
當然，對于技術要求極高的領域，資本化處理也能了解。
研發費用資本化，這個地方我們此前多次提及，也是中美會計準則中的一個重要差異，考慮到研發費用資本化的界定标準存在一定的主觀因素，是以，此處如果大家做實地調研，需要關注。
好，研發投入了這麼多，那麼，中微半導體和國際巨頭之間的差距到底有多少呢？
晶片制造最核心的名額就是制程，即精細度（機關：nm）。兩台機器差别有多大，通過其刻蝕最大制程對比就一目了然：
北方華創NMC612D——其最大晶片制程為28nm，該裝置已進入中芯國際生産線；
中微半導體的Primo nanova——涵蓋14nm、7nm、到5nm尺寸的刻蝕應用，其中7nm已進入台積電生産線。而5nm的精細度已經與國際巨頭目前裝置水準一緻。
研究了這麼多，看起來，中微半導體與國際巨頭的差距似乎沒多少，但事實上，技術的差距并沒有這麼樂觀。
這樣的精細程度，并不是應用于所有的材料。
目前，幹法刻蝕根據被刻蝕的材料類型來分類，分為三種：金屬刻蝕、媒體刻蝕和矽刻蝕。
媒體刻蝕，是在絕緣材料上将半導體器件中導電部分分隔開；
金屬刻蝕，主要用于連接配接形成內建電路各個金屬部件；
矽刻蝕，主要用于去除不需要的矽材料。
注意，矽刻蝕的難度最高，其為底層電路結構的雕刻，是刻蝕工藝中最重要的部分，矽材料刻蝕是對半導體的刻蝕，其工藝直接定義半導體晶片的制程（精細度）。
是以，我們重點來看矽蝕刻，矽蝕刻的技術難度如何，我們用矽材料對刻蝕的選擇比（Highly selective etch）這個名額來看。
舉個例子，一個晶圓上有多層材料堆疊構成，隻刻蝕上面一層材料（材料1），而同時保證下層材料（材料2）不被刻蝕。材料一與材料2的刻蝕速度的比率稱為“選擇比”，選擇比越高，技術工藝要求越高。
金屬刻蝕選擇比最低，在4:1到20:1之間，其次是媒體刻蝕，在20:1到50:1之間，而對于矽刻蝕，由于多晶矽栅、淺槽隔離等尺寸極小，故精度要求極高，選擇比要達到 150：1 左右。
預知後續，且聽下回分解
不構成任何投資建議，股市有風險，入市需謹慎